这款N沟道MOSFET设计用于中低压领域，50V漏源耐压与20A大电流处理能力，完美匹配功率转换和高效能电子设备需求。 260毫欧低导通电阻，在保证电流顺畅的同时减少发热，提升系统整体能效。 广泛适用于消费电子产品、充电器及能量存储系统，是构建可靠、高效电路的精选元件。 20N50由HXY MOSFET (华轩阳电子)设计生产，立创商城现货销售。 20N50价格参考￥3.02。 HXY MOSFET (华轩阳电子) 20N50参数名称：类型：1个N沟道；连续漏极电流 (Id)：20A；导 …

The Nell 20N50 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 20A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 500V, and max. threshold voltage of 5 volts.

20N50 Transistor Datasheet, 20N50 Equivalent, PDF Data Sheets. MOSFET. Parameters and Characteristics. Electronic Component Catalog

2024年8月2日 · 20N50-VB是VBsemi公司推出的一款单N沟道 MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高电压和高电流处理能力。 该器件设计用于要求高电压和高功率的应用，具有低导通电阻和高可靠性，适用于各种功率控制和开关电路。

Manufacturer: Nell Semiconductor Co., Ltd. Description: N-Channel Power MOSFET. 12 Results. Datasheet: 142Kb/4P. Manufacturer: Unisonic Technologies.

UniFET MOSFET is onsemi’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on−state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength.

2024年8月2日 · VBsemi的20N50-VB是一款高 性能 单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术。 该器件具有高耐压、低导通电阻等特点，适用于各种高压电源电子应用场合。 其TO220封装适合中等功率电路设计，具有良好的散热性能和可靠性。 ### 二、详细参数说明. ### 三、应用领域和模块举例. **1. 电源供应** 20N50-VB适用于高压电源电子应用，如开关电源和逆变器。 其高耐压特性和低导通电阻可实现高效的能量转换，适用于工业和通信设备中的电源管理模块。 **2. 电 …

2024年8月2日 · **20N50-VB** 是一款单极性 N-Channel MOSFET，采用 TO220F 封装，具有高电压和高电流处理能力。 它采用了 SJ_Multi-EPI 技术，能够在高压环境下提供稳定的 性能。 ### 详细参数说明. ### 适用领域和模块. 1. **电源逆变器**：由于其高电压和高电流 处理能力，20N50-VB 可以用于电源逆变器中，将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、风力发电逆变器等高压环境下的应用。 2. **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，需要高电压和高电流的 …

功能特点 产品名称：MOSFET 产品型号：20N50 产品描述： The OGFD 20N50 is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook

1、20N50型号描述 KIA20n50h N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正。 2、20N50产品参数 产品型号：KIA 20N50 漏极至源极电压（VDSS）：500V 栅源电压（VGSS）：±30V 漏极电流 （连续）（lD）：20A