We demonstrate a 2-transistor/2-resistor (2T2R) static-random-access-memory (SRAM) cell with high read/write stability composed of two-surface-channel (TSC) transistors, using two-dimensional (2D) layered MoS 2.

A 6T-SRAM bitcell with the footprint of only two transistors is demonstrated by stacking four n-type vertical gate-all-around transistors (VFET) on two pFinFETs. The local interconnects are all within the footprint of the two bottom pFinFETs.

2017年12月11日 · Abstract: This paper presents a 4+2T SRAM for embedded searching and in-memory-computing applications. The proposed SRAM cell uses the n-well as the write wordline to perform write operations and eliminate the write access transistors, achieving 15% area saving compared with conventional 8T SRAM.

2024年1月4日 · 将 6t sram/2t edram 混合设计与一个增强型数据编码器（增强 int8 表示法中位-1 的普遍性）相结合，可以优化芯片的面积和能耗。 因此，我们推出了 MCAIMem，一种基于 SRAM 和非对称 eDRAM 的混合存储单元，设计用于节省面积和能耗的片上人工智能存储器。

2011年3月9日 · 本文设计了一种新式的存储器2T－SRAM。 2T—SRAM综合了DRAM的高集成度. 和SRAM高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。 文章对2T—SRAM的存储单. 元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路等基本的电路进行了详细阐述和. 分析。 文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产. 生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。 设计提出的一种新的刷新电路，可以有效降低存储器的刷新功 …

2019年8月2日 · 2t-sram比较的是两个互补的差分电 压，在达到灵敏放大器能正确识别的最小值之前，可以经过相当长的时间，而 数据的时间要长的多。一旦超过临界时间，灵敏放大器就不能正确识别位线的 电压差，就会发生读取错误。

2016年1月4日 · Now, however, for the first time I’ve seen, a proposal is on the table, announced at IEDM by a startup called Zeno, for a new SRAM cell. One that’s completely different from the one we know and love. And it requires only one (or two) transistors. Seriously.

2t-sram设计及其刷新时钟电路改进.pdf,2t-sram设计及其刷新时钟电路的改进 摘要 随着半导体技术的不断发展，集成电路设计已经发展到了soc时代，嵌入 被存储器所占据。sram和dram是最为常见的两种嵌入式存储器。sram速度快， 但是占面积大，成本高。

2024年10月6日 · The 2T part known as 7T SRAM, or 7-Transistor SRAM, which is increases the read signal while the 4T section maintains frequently used in integrated circuits. It provides a stability during read

The present invention relates to a static random access memory, and more particularly to a memory cell structure of a two-transistor static random access memory (2T SRAM). Generally, a random...