SiGe channels for VT control of high-k metal gate transistors for 32 …
2012年2月1日 · GLOBALFOUNDRIES 32 nm high-k metal gate technology, with SiGe channel for V T control of P-field effect transistor, is taken into production. This epitaxial channel material …
32-GS/s SiGe Track-and-Hold Amplifier with 58-GHz ... - IEEE …
We demonstrate an ultra-wideband 32-GS/s SiGe track-and-hold amplifier with 58-GHz bandwidth and a compact footprint due to the inductorless design. The circuit achieves a third harmonic …
材料 - A=材料=SiGe - 《集成电路工艺制造》 - 极客文档
2025年1月8日 · alias: 锗化硅,SiGe. 在SiGe 材料中随着Ge成分的增加，其禁带宽度从硅的1.17电子伏递减到锗的0.67电子伏，能带宽度的变化降低了材料的电阻率。用SiGe 材料制成的晶体 …
一种嵌入式SiGe结构及其制备方法与流程 - X技术网
2020年7月10日 · 现在业界采用的sige生长方式是采用三步骤的生长方式：(1)种子层淀积，主要用来作为缓冲层；(2)填充层的生长，这部分是应力的主要来源，其中ge在sige中的浓度占比会达 …
32 GHz and 40 GHz bandwidth distributed amplifier MMICs based …
Two distributed amplifiers using n-type SiGe MODFETs as active devices and a coplanar waveguide topology on high resistivity silicon substrate were fabricated. Each of the amplifiers …
半导体工艺简介 - 知乎 - 知乎专栏
2023年9月8日 · SiGe不但可以直接利用半导体现有8寸晶圆制程，达到高集成度，还有媲美GaAs的高速特性。 高频和低功耗的LNA产品一般采用SiGe工艺设计。 2 以第二代半导 …
JSSC2011-3 笔记 | Return To Innocence
A Single-Chip 125-MHz to 32-GHz Signal Source in 0.18- um SiGe Bi-CMOS 宽带信号源，主要利用core fractional-N PLL 和 post synthesis frequency division/multiplication. Fractional-N PLL …
A Study on aggressive proximity of embedded SiGe with …
Abstract: We have presented the high performance pMOSFET with embedded SiGe (eSiGe) technique which is applicable to 32 nm node ground rule (dense gate space). In general, close …
Si/SiGe 异质结构和器件,Thin Solid Films - X-MOL - X-MOL科学 ...
摘要 综述了 Si/SiGe 异质结构和基于它们的器件的科学和技术的最新进展。 讨论了用于制备这些异质结构的晶体生长技术、材料特性和能带结构。 处理了应变改性的 Si/SiGe 系统的传输和 …
SiGe channels for V T control of high-k metal gate transistors for 32 ...
GLOBALFOUNDRIES 32nm high-k metal gate technology, with SiGe channel for VT control of P-field effect transistor, is taken into production. This epitaxial channel material is being …
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