3C/4H/6H-碳化硅单晶的多型 - 知乎 - 知乎专栏
碳化硅 （Silicon carbide），化学式为 SiC ，分子量40.1。化学式虽然简单，但是其应用广泛，这是由碳化硅的结构决定的。 结构={组元，组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质，组元 …
半导体β-SiC（3C-SiC）相关知识的详解； - 知乎专栏
迄今为止，被确认的SiC多型结构已超过200多种，常见的有 3C-SiC 、 4H-SiC 、 6H-SiC 和 15R-SiC 等。 其中，唯一具有立方等轴结构的3C-SiC也叫 立方碳化硅 。 立方碳化硅又名 β-SiC ， …
第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述 - CSDN博客
2023年12月31日 · 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，属于III-V族化合物，是无色透明的晶体，实际产业应用中，因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色。 …
From thin film to bulk 3C-SiC growth: Understanding the mechanism of ...
2018年5月1日 · Cubic silicon carbide (3C-SiC) is the only possible cubic structure, which is obtained when the bilayer stacking is ABCABC… resulting in a pure zinc-blende structure. The …
High‐Quality and Wafer‐Scale Cubic Silicon Carbide Single Crystals
Cubic silicon carbide (3C-SiC) has superior mobility and thermal conduction over that of widely applied hexagonal 4H-SiC. Moreover, much lower concentration of interfacial traps between …
Cubic Silicon Carbide (3C-SiC) | SpringerLink
Silicon carbide (SiC) is the only known naturally stable group-IV semiconducting compound crystallizing in a large number of polytypes [1].
晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破 - 中国科学院物理研究所
2024年1月11日 · 与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC (3C-SiC)具有更高的载流子迁移率 (2-4倍)、低的界面缺陷态密度 (低1个数量级)和高的电子亲和势 (3.7 eV)。 利用3C-SiC制备场效 …
High thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide …
2022年11月23日 · We report an isotropic high thermal conductivity exceeding 500 W m −1 K −1 at room temperature in high-quality wafer-scale cubic silicon carbide (3C-SiC) crystals, which …
3C-SiC碳化硅纳米材料的制备、表征及性能研究-学位-万方数据知 …
立方相碳化硅(3C-SiC)具有许多优异的力、热、光和电学性能，这使它在高温、大功率、高压、高频等极端条件下的应用前景广阔。纳米3C-SiC具有更多体相所没有的性能，如蓝光发射和场 …
Status of 3C‐SiC Growth and Device Technology - IEEE Xplore
Therefore, the ideal operation range of power electronic devices based on 3C‐SiC lies in the mid‐voltage range of 400–600 V as it is used in the large application field of electric …