South Korean chipmaker Samsung started shipping its 3 nm gate all around (GAA) process, named 3GAA, in mid-2022. [1] [2] On 29 December 2022, Taiwanese chip manufacturer TSMC announced that volume production using its 3 nm semiconductor node …

One of the key topics at the event was 3nm Gate-All-Around (GAA) Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistor (MBCFET™) technology and the Static Random Access Memory (SRAM) design flexibility it provides, and this article will take a closer look at the groundbreaking technology.

2018年12月5日 · 3nm GAA Technology featuring Multi-Bridge-Channel FET for Low Power and High Performance Applications Abstract: As the most feasible solution beyond FinFET technology, a gate-all-around Multi-Bridge-Channel MOSFET (MBCFET) technology is successfully demonstrated including a fully working high density SRAM.

三星还给自家 GAA 技术取了个独特的名字： Multi-Bridge Channel ，简称 MBCFET。 三星表示，他们会在 3nm 这一节点上使用 MBCFET 技术。 MBCFET 相比纳米线技术拥有更大的栅极接触面积，从而在性能、功耗控制上会更加出色。

2022年3月24日 · 三星是唯一一个要在3nm节点就迁往GAA（gate all around）结构晶体管的foundry厂。 不过台积电和Intel也将在2nm节点做相同的转向。 我们期望在未来制造工艺介绍文章里，用更多的篇幅来谈GAA结构晶体管和制造工艺；只不过在三星3nm GAA正式面世之前，目前掌 …

2025年2月4日 · TechInsights has identified Samsung's revolutionary 3nm gate-all-around (GAA) process within the Whatsminer M56S++ crypto-mining ASIC from Chinese manufacturer MicroBT. The significance of this development lies in the commercial use of GAA technology, which facilitates the scaling of transistors to 2nm and beyond.

6月30日，正如之前外界传闻的那样，三星电子今天正式对外宣布，其已开始大规模生产基于3nm GAA（Gate-all-around，环绕栅极）制程工艺技术的芯片，这也使得三星抢先台积电成为了全球首家量产3nm的晶圆代工企业。

在2019年的日本SFF会议上，三星宣布了3nm工艺，将采用GAA环绕栅晶体管技术，而放弃采用 FinFET晶体管 。与目前的7nm工艺相比，三星3nm工艺可将核心面积减少45％，功耗降低50％，性能提高35％。

2022年6月30日 · Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET ™), Samsung’s GAA technology implemented for the first time ever, defies the performance limitations of FinFET, improving power efficiency by reducing the supply voltage level, while also enhancing performance by increasing drive current capability.

3nm Gate-All-Around (GAA) technology is introduced to suggest the future of logic transistor with performance, power, and area (PPA) benefit. However, as with the recent advanced technologies, GAA technology also faces the potential challenges to overcome for the optimum PPA.

Samsung Electronics, the world leader in semiconductor technology, today announced that it has started initial production of its 3-nanometer (nm) process node applying Gate-All-Around (GAA) transistor architecture.

4 天之前 · 新思科技的eda套件为三星的gaa节点提供了卓越的性能、功耗和面积（ppa）参数。 GAA晶体管架构相较于传统的FinFET架构，在性能和功耗方面具有明显优势。

三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”（简称: MBCFET™ Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。

2019年5月21日 · The solution is to go to GAA, so that the gate surrounds the channel completely. The earliest approaches used nanowires, circular wires, but it turns out that they are not really any better than FinFETs because the drive current is not high enough.

2025年2月21日 · Samsung claims its first-generation 3nm process could reduce power consumption by 45%, increase performance by 23%, and reduce chip area by 16% compared to 5nm technology, promising even more advances for future generations.

2022年7月1日 · 三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”（简称: MBCFET™ Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。 三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。 三星电子Foundry业务部总经理崔时荣表示：一直以来，三星电子不断将新一代工艺技术应用于生产制造中。 例如：三星的第一个High-K Metal …

2021年6月30日 · 6月29日晚间，据外媒报道，三星宣布其基于栅极环绕型 (Gate-all-around，GAA) 晶体管架构的3nm工艺技术已经正式流片（Tape Out）。 据介绍，与5nm制造工艺相比，三星的3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%，而且GAA架构性能也优于 ...

2022年6月30日 · Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET TM), Samsung’s GAA technology implemented for the first time ever, defies the performance limitations of FinFET, improving power efficiency by reducing the supply voltage level, while also enhancing performance by increasing drive current capability.

2022年6月30日 · 三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”（简称: MBCFET™ Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。 三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。 一直以来，三星电子不断将新一代工艺技术应用于生产制造中。 例如：三星的第一个High-K Metal Gate (HKMG) 工艺、FinFET 以及 …

1 天前 · 虽然三星早在2023年6月底就宣布成功量产了3nm GAA制程，但是截至目前仍未获得大户的采用。即便是原定于采用自家第二代3nm GAA制程的Exynos 2500处理器 ...