Abstract: The fifth generation mobile communications (5G) are expected to accommodate the forthcoming huge traffic demands, and the massive multiple input multiple output (MIMO) technology utilizing hundreds of antenna elements has drawn attention as a key antenna configuration for envisioned 5G.

我们还设计了覆盖 28GHz 5G 频段的单芯片四通道 MMIC （请参见图 7 ）。这些 IC 采用三安集成电路的 P15EP 工艺制造（一种 4V ， 0.15μm 增强模式 GaAs pHEMT 工艺），并采用标准的 5mm×5mm 塑料包覆成型 QFN 封装。为了测试基准性能，此封装体已安装在代表性的评估 PCB …

2023年7月22日 · This paper presents a monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifier (LNA) that is compatible with n257 (26.5–29.5 GHz) and n258 (24.25–27.5 GHz) frequency bands for fifth-generation mobile communications system (5G) …

This contribution presents the design of a two-stage Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) Doherty power amplifier (DPA) for 28 GHz 5G applications. The circuit is realized on a novel Gallium Nitride on Silicon (GaN-Si) technology with 100 nm gate length.

This paper presents the design and the measured results of a GaN-based T/R MMIC suitable for millimeter-wave 5G applications. The design successfully integrated a PA, an LNA, and a T/R switch in one IC. At 39GHz, the transmit path achieved an average output power of 26dBm with 9% PAE and -30dBc ACPR under a 64QAM OFDM signal.

2023年2月13日 · 5g毫米波前端mmic芯片新突破. 5g通信已经成为人们生活的一部分，其中具备高速率、高容量、低延时的5g毫米波逐渐成为关注的重点，基站侧和终端侧的设备（图1）蕴含了巨大的毫米波前端芯片市场，引起了业界广泛的布局和投入。

本文参考现有5G通信技术标准，研究现有MMIC功放产品的器件材料与结构，对其优势、不足进行分析，提取其关键设计环节，总结出针对提升功率放大器芯片性能的关键技术，从而实现通信设备整体性能的提升。 本文主要创新点有：设计了一种具有温度反馈的自适应偏置电路；设计了一款可调节的阻抗匹配芯片。 本研究中涉及关键技术研究的模块，均进行了集成电路的原理图设计以及版图绘制。 运用EDA软件对整体版... 随着无线通信技术的发展，现代通信技术对通信设备频率 …

2023年6月7日 · A comparison between a fully integrated Doherty power amplifier (DPA) and outphasing power amplifier (OPA) for fifth Generation (5G) wireless communications is presented in this paper. Both amplifiers are integrated using pHEMT transistors from the OMMIC’s 100 nm GaN-on-Si technology (D01GH).

2018年6月4日 · 本文介绍了符合以上所有要求的28GHz 5G 通信 频段（27.5至28.35GHz） 射频 前端模块MM IC （单片 微波 集成电路）的设计、实现和验证。 该射频前端由Plex te k RF I公司开发，采用WINSemiconductors（稳懋 半导体）的PE-15 4V电压、0.15μm、增强型GaAs PHEMT工艺实现。 它采用紧凑型低成本且兼容SMT（表贴）安装的5mm x 5mm二次注塑兼容QFN封装，适用于大批量、低成本的制造。 它涵盖27至29GHz，因此支持完整的28GHz 5G频段。 1.设计 …

mmTron announces a family of five GaN power amplifiers (PAs) for the mmWave 5G and satellite communications (Satcom) bands from 22 to 41 GHz. The family offers a range of frequency coverage and output power options, and all five were designed to optimize linearity for high data rate communications waveforms.