2023年7月7日 · 6F2是指DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）器件中存储单元的尺寸定义。 在DRAM器件中，每个存储单元通常由一个晶体管和一个电容器组成。 6F2尺寸定义了这个存储单元的占用空间。 其中，F表示光刻技术的一种定义单位，相当于光刻技术使用的最小线宽。 在6F2中，数字6表示相连的晶体管所占空间，而2表示相连的电容器所占空间。 具体来说，6F2尺寸意味着每个DRAM存储单元的晶体管占用6个最小线宽的空间，而电容 …

2027 年或 2028 年，10nm D/R 将是 6F2 DRAM 的最后一个节点。 3D NAND 技术、趋势和挑战 主要的 NAND 芯片制造商正在竞相增加垂直 3D NAND 门的数量。

据介绍，sk海力士向英特尔提供的ddr5 dram产品运行速度高达6.4gbps（每秒6.4千兆比特），公司技术团队实现了目前市面上ddr5 dram的最高速度。与ddr5 dram初期阶段的 试制品 相比，数据处理速度提升了33%。

2008年5月20日 · Semiconductor Insights的分析显示，三星设计团队采用6F2技术开发的新的512Mb DDR2 DRAM与前一代设计看起来有很大不同。 每个阵列块 (包含单元阵列和位线检测放大器的创建块)现在具有320个字线 (wordline)，比90nm 8F2设计的每块512个字线要少。 似乎三星是减少了与位线连接的单元数量，以减轻阵列噪声效应，并帮助6F2阵列设计中的检测和恢复操作。 三星还采用了一种非传统的阵列设计。 传统上，阵列块提供的字线总数一直是2的幂，例 …

2023年10月9日 · Semiconductor Insights的分析显示，三星设计团队采用6F2技术开发的新的512Mb DDR2 DRAM与前一代设计看起来有很大不同。 每个阵列块 (包含单元阵列和位线检测放大器的创建块)现在具有320个字线 (wordline)，比90nm 8F2设计的每块512个字线要少。 似乎三星是减少了与位线连接的单元数量，以减轻阵列噪声效应，并帮助6F2阵列设计中的检测和恢复操作。 三星还采用了一种非传统的阵列设计。 传统上，阵列块提供的字线总数一直是2的幂，例 …

We present a 46 nm 6F 2 buried word-line (bWL) DRAM technology, enabling the smallest cell size of 0.013 mum2 published to date. The TiN/ W buried word-line is built below the Si surface, forming a low resistive interconnect and the metal gate of the array transistors.

2008年2月22日 · Semiconductor Insights' analysis revealed that adopting the 6F2 techniques forced the Samsung design team to make the new 512-Mbit DDR2 DRAM look very different from the previous-generation design. The array block–a building block having cell array and bitline sense amps–now has 320 wordlines per array block, a reduction from the 90-nm 8F2 ...

2024年12月22日 · 本文将深入探讨dram阵列架构的两种主要设计：8f2和6f2单元，以及它们各自的优势和挑战。 8F2单元设计是传统主流的DRAM架构，其特点是使用折叠位线阵列。

Semiconductor Insights的分析显示，三星设计团队采用6F2技术开发的新的512Mb DDR2 DRAM与前一代设计看起来有很大不同。 每个阵列块(包含单元阵列和位线检测放大器的创建块)现在具有320个字线(wordline)，比90nm 8F2设计的每块512个字线要少。

通过比较三 星的 6F2 80nm DDR 2 DRAM 和 8F2 90nm DDR2 器 件设计后 可以总结出 6F2 的优 劣及设计挑 战。 通过 对比三星 基于 6F2 的 80nm DDR 2 设计与现 代公司基 于 8F2 的 8 0nm