台积电流片，长电科技封装；是一款单N型功率MOSFET，具有高性能和可靠性。 采用平面工艺（Plannar），适用于各种功率电子应用，提供可靠的电气特性和稳定的性能。 TO220；N—Channel沟道,650V；2A；RDS (ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V； 7N60-VB由VBsemi (微碧半导体)设计生产，立创商城现货销售。 7N60-VB价格参考￥3.28。

Description: 7.4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET. 213 Results. Datasheet: 470Kb/5P. Manufacturer: Estek Electronics Co. Ltd.

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N60 Power MOSFET 7.4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics.

650 V @ TJ=150°C现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结(SJ)MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓. 典型值RDS(on) = 530 m Ω越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此,SuperFET. 低有效输出电容(典型值Coss(eff.)= 60 pF)器/ 电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 MOSFET 最大额定值TC =25°C除非另有说明。 电气特性TC =25°C除非另有说明。 / ΔTJ. 重复额定值:脉冲宽度受限于最大结温。 2. IAS = 3.5 A, VDD = …

7N60 Series Pin Assignment P: TO-220AB F: TO-220FP 条管装 盒装箱装 50Pcs 1000Pcs FQP7N60C FQPF7N60C H7N60P H7N60F 7N60 HAOHAI 工业型号 公司型号 通俗命名 H 封装标识 包装方式 每管数量 每盒数量 每箱数量 7N60 Series 7A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书 N-Channel MOSFET TO-220AB TO-220FP

Dec 16, 2021 · 7n60在to-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。7n60的脉冲二极管正向电流(ism)为28a，漏源击穿电流(idss)为1ua，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7n60的栅源电压(vgs)为±30v，导通电阻rds(on)为1.2Ω。

Jul 12, 2021 · 壹芯7N60是一个高压功率MOSFET，是旨在具有更好的特性，例如快速切换时间，低栅极电荷、低通态电阻和高耐用性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于开关电源中的高速开关应用和适配器。 特性： · RDS (ON) < 1.0Ω @ VGS = 10V · 快速切换能力 · 雪崩能量测试 · 改进的 dv/dt 能力，高耐用性. 壹芯微——优质国产功率半导体品牌，主要生产各式二极管、三极管、Mos管、晶体管、桥堆等功率电子器件 产品均通过欧盟各大管理体系认证，高质量，高标准， …

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7n60-vb是一款高压单n沟道功率mosfet，适用于需要高电压和中等电流处理能力的应用。 采用Plannar技术制造，封装在TO220外壳中，具有良好的散热特性和可靠的电性能。

The UTC 7N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics.