7nm Node 目前可以实现7nm 制程的只有台积电和三星两家，三星是从一开始就使用 EUV光刻机 来实现，而台积电则是从DUV开始实现，然后再转向EUV 。 也就是说，目前7nm 制程工艺使用DUV 和 EUV 都是可以实现的，下面就DUV 和 EUV 两种设备的实现方法分别说明。

DUV是目前比较成熟的方案，现阶段最高采用193nm波长的深紫外光源，被广泛应用在7nm（N7)以及7nm以前的工艺里。 伴随着工艺的继续微缩，DUV已经力不从心，所以现在无论是台积电还是三星都引入了极紫外光源的EUV光刻工艺。

In semiconductor manufacturing, the "7 nm" process is a term for the MOSFET technology node following the "10 nm" node, defined by the International Roadmap for Devices and Systems (IRDS), which was preceded by the International Technology Roadmap for …

2023年9月6日 · 7nm工艺麒麟9000S的出现，大致有两种可能，一种是国产EUV光刻机实现突破，另一种是芯片制造商在DUV上，采用了特殊“魔法”，变相生产出了7nm工艺芯片。

台积电的7nm工艺分为第一代7nm工艺（N7）、第二代7nm工艺（N7P）、7nm EUV （N7+）。 其中，N7和N7P使用的是 DUV光刻，为了用DUV制作7nm工艺，除了使用沉浸式光刻外（193nm波长的浸润式光刻机，通过水的折射，最终波长缩短为134nm），台积电还开发了多重曝 …

叫做7nm性能增强版（7nm Performance-enhanced version，n7p）， 性能有所提升，约7%。 在引入EUV光刻机之后，首次应用在7nm的一些步骤的改进上。 一些在DUV光刻机下需要多次曝光才能够完成的图形，由于EUV的引入，可以一次完成。

ASML展示的DUV光刻机也能生产7纳米及以上 制程芯片，而且价格要比EUV光刻机低很多。 相较于DUV光刻机， EUV光刻机 只要一次曝光，就能实现7纳米工艺芯片的制造，而用DUV需要 多重曝光。

2021年12月21日 · DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。 DUV和EUV最大的区别在光源方案。 EUV的光源波长为13.5nm，但最先进DUV的光源波只有193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨率，因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。

6 天之前 · 叫做7nm性能增強版（7nm Performance-enhanced version，n7p）， 性能有所提升，約7%。 在引入EUV光刻機之後，首次應用在7nm的一些步驟的改進上。 一些在DUV光刻機下需要多次曝光才能夠完成的圖形，由於EUV的引入，可以一次完成。

2024年2月27日 · 目前可以实现7nm 制程的只有台积电和三星两家，三星是从一开始就使用EUV光刻机来实现，而台积电则是从DUV开始实现，然后再转向EUV 。 也就是说，目前7nm 制程工艺使用DUV 和 EUV 都是可以实现的，下面就DUV 和 EUV 两种设备的实现方法分别说明。