Intel 7nm 包含Intel 4和Intel 3在内的两个工艺，对标台积电的N4和 N3B，也是Intel第一个正式采用 EUV光刻机 制造的工艺。 在接下来的介绍中，将并行使用Intel 4和Intel 3的材料，二者的基本 …

7nm Node 目前可以实现7nm 制程的只有台积电和三星两家，三星是从一开始就使用 EUV光刻机 来实现，而台积电则是从DUV开始实现，然后再转向EUV 。 也就是说，目前7nm 制程工艺使 …

三星在在14nm工艺之上就引入了SDB，single diffusion break；也叫做single dummy gate，其是一种典型的可缩减单元尺寸的方案，简单来说是缩减原本用于隔离相邻单元的位置的长度，达到 …

2018年3月15日 · 在制造工艺往7nm推进的过程中，围绕着Intel、TSMC、Samsung和GlobalFoundries（GF）四大晶圆厂的工艺进展讨论进入了一个新的阶段。

Single diffusion break (SDB) devices in FinFET technology are desirable and attractive for their minimum footage in aggressively scaled circuits. This paper rep

DDB). Single diffusion break (SDB) in 7nm FinFET is discussed. Simulation indicates that stress relaxation is pronounced in case of DDB and self-aligned SDB, while non-self

三星/台积电7nm工艺对比 可以看到，三星的第一代7nm芯片直接采用了EUV（极紫外）光刻工艺，其晶体管密度为每平方毫米9530万颗，而台积电第一代7nm采用的是传统DUV（深紫外） …

季丰电子MA团队解剖了 iPhone 11系列搭载的A13芯片——一探台积电7 nm技术节点产品的奥秘。 以下为A13芯片7 nm工艺的TEM剖析效果展示。 结合STEM模式下的HA AD F像和BF像，可 …

2022年9月22日 · 不过值得一提的是，在7nm工艺前后，三星引入了一种MDB（mixed diffusion break）。 对应的技术似乎是三星的独家方案，据说能够更为精确地进行diffusion break相关 …

2019年2月19日 · TSMC光学工艺 (7FF)是双扩散断路 (DDB)，据报道它们的EUV工艺 (7FFP)将采用单扩散断路 (SDB)。 三星7nm有第一代工艺 (我相信这是7LPE)，是DDB，他们也有第二代 …