G10-AsP Future proof - Compatible with current and future wafer sizes 75 mm | 100 mm | 150 mm | 200 mm | optional SMIF port Highest uniformity and repeatability – throughout production campaigns

G10-GaN enables seamless process transfer from today‘s tool of record AIX G5+ C Same cassette-to-cassette wafer handling „On-board“ calibration and control modes for process matching . Identical process chamber size and wafer configuration

G10-SiC 150 mm and 200 mm – dual wafer size capable – safeguard your investment into the future; Highest wafer output / m 2 in the market; Lowest cost / wafer in the market; Excellent run-to-run process performance; Highly uniform, low defect SiC …

2023年1月29日 · 新型全自动G10-AsP是投放市场的最大的200mm AsP间歇式反应器，配备原位清洁和自动卡匣式 (C2C) 晶圆传输技术。 前端首次可以配备SMIF (标准机械接口)吊舱，以进一步减少外延晶圆在室内环境的暴露。 借助内置的原位清洁功能，用户可以根据需要重新设置腔室条件——无论是在满足最苛刻要求的每个工艺运行之后，还是在受益于最高吞吐量的生产活动之后。 该平台基于成功的Planetary Reactor (行星式反应器)®技术，这项技术将多晶圆间歇式反应器概 …

新型全自动G10-AsP是投放市场的最大的200mm AsP间歇式反应器，配备原位清洁和自动卡匣式 (C2C) 晶圆传输技术。 前端首次可以配备SMIF（标准机械接口）吊舱，以进一步减少外延晶圆在室内环境的暴露。

2023年2月15日 · 愛思強的MOCVD系統AIX G5+ C和全新G10-AsP提供AIXTRON行星衛星式氣浮旋轉水準技術（Planetary Technology），為下一代高解析度microLED顯示幕鋪平了道路。 早在2022年第一季，艾邁斯歐司朗即宣布200mm產能增建計畫，在馬來西亞現有工廠實 …

2022年9月15日 · 9月13日，德国设备厂商爱思强（aixtron se）宣布推出下一代8英寸sic外延设备g10-sic，将助力量产新一代基于6/8英寸sic衬底的功率器件。 G10-SiC系统支持两种晶圆尺寸配置

G10-GaN enables seamless process transfer from today‘s tool of record AIX G5+ C Same cassette-to-cassette wafer handling „On-board“ calibration and control modes for process matching Identical process chamber size and wafer configuration AIXTRON Group 150/200 mm high throughput epitaxy for GaN power & RF applications

Their AIX G5+ C planetary reactor, the first fully automated GaN MOCVD system, has become the industry standard for GaN power. Building on this success, the G10-GaN cluster solution extends each performance metric while maintaining the core fundamentals. The G10-GaN is packed in a new, compact layout optimized for minimal cleanroom space.

2023年9月7日 · AIXTRON SE has unveiled the G10-GaN cluster solution for high-volume manufacturing of Gallium Nitride (GaN) power and RF devices. The platform delivers superior performance, a compact design, and cost-efficiency.