AIX G5+ C: Deposition System for Compound Semiconductors
DEPOSITION SYSTEM FOR COMPOUND SEMICONDUCTORS. “State-of-the-art Planetary reactor module for advanced GaN application on 150/200 mm substrates (Si/Sapphire/SiC) …
强大的AIX G5+C金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 反应器
2018年9月26日 · AIX G5+ C 金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 反应器将提升 Plessey 在硅 (GaN-on-Si) 晶圆上制造氮化镓的能力，其目标是应用于下一代 microLED。 凭借自动盒式到盒式 …
AIX G5 WW C: Deposition System for Compound Semiconductors
AIX G5 WW C “Best performance for Next Generation SiC Power Electronics to address Global Mega Trends” High throughput batch epitaxy with single wafer control - combining best of both …
扩产、降本同步走！爱思强MOCVD技术助推SiC/GaN产业化 - 知乎
结合c2c自动卡匣晶圆传输技术，aix g5+ c设备可以提升外延片的波长一致性，降低缺陷率，从而提升良率。 应用上， 爱思强 已针对功率、射频和光电LED应用推出了先进的设备解决方案。
AIXTRON – system production with attention to detail
"AIXTRON’s AIX G5+ C planetary system combines outstanding on-wafer uniformity and run-to-run performance at the lowest cost of ownership – aspects that are critical for efficient high …
AIX G5反应器平台5x200 mm硅基氮化镓技术 - 显示光电 - 电子发 …
2012年7月25日 · 爱思强股份有限公司推出最新 产品 AIX G5+，为其AIX G5行星式反应器平台提供5x200 mm硅基氮化镓生长专用设备。 基于以客户为 中心 的发展计划，爱思强的研发实验室开 …
中国的InnoScience订购Aixtron AIX G5 + C MOCVD系统，用于制 …
2018年11月24日 · 德国Azur Space Solar Power GmbH正在使用沉积设备制造商Aixtron的AIX G5 + C金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统，以拓展硅基氮化镓（GaN on Si）高功率电子器 …
爱思强化合物半导体沉积系统AIX G5+ C_价格-深圳市矢量科学仪 …
该系统通过外延生长技术在衬底上沉积高质量薄膜，支持多种沉积方法，并具备高精度、多功能、高温与低温兼容及高效自动化等特点。 其主要用途包括晶圆制备、芯片设计与制造、光电器 …
康佳订购Aixtron AIX G5 + C和AIX 2800G4-TM MOCVD系统进 …
2020年3月18日 · 德国Azur Space Solar Power GmbH正在使用沉积设备制造商Aixtron的AIX G5 + C金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统，以拓展硅基氮化镓（GaN on Si）高功率电子器 …
爱思强新推出AIX G5+--企业新闻频道-《化合物半导体》
爱思强股份有限公司推出最新产品AIX G5+，为其AIX G5 行星式反应器平台提供5x200 mm 硅基氮化镓生长专用设备。 基于以客户为中心的发展计划，爱思强的研发实验室开发了此技术并设 …