2017年1月3日 · Atomic layer deposition (ALD) is an emerging and attractive technique for preparing nanoscale ultrathin films because of high uniformity over a large area,...

ald（原子层沉积） ALD通过逐个原子层的方式沉积薄膜。 首先引入三甲基铝（TMA），使其吸附在衬底上，然后用惰性气体冲刷掉多余的TMA。

Aluminum nitride (AlN), a ceramic material with high thermal conductivity and wide band gap has become a promising choice for thermal management in electronic devices. In this paper, we …

基吸附于基片上反应生成aln, 由于反应的自限制 性, 每个循环只形成单原子层的aln 薄膜, 相对于 使用tma 与nh3 作为源的热型ald 技术而言, n、h 自由基拥有比nh 更高的活性, 故其可在低 …

2020年6月15日 · In this study, AlN films are grown on bare Si and TiN substrates at 295–342 °C by thermal ALD using trimethyl aluminum (TMA) and ammonia. Facile nucleation and linear …

2023年5月31日 · By contrast, atomic layer deposition (ALD) method enables thin film deposition at a relatively low temperature (100 °C ∼ 400 °C), which can reduce the internal stress of the …

原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积 (CVD) 的高精度薄膜沉积技术，是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术。

The great interest in aluminium nitride thin films has been attributed to their excellent dielectric, thermal and mechanical properties. Here we present the results of amorphous AlN films …

原子层沉积 ALD（atomic layer deposition），是一种特殊的化学气相沉积 （CVD）方法。要实现气相前驱体化学吸附在基材表面，前驱体以脉冲方式交替 输入腔体，而且必须具有足够高的 …

2021年3月8日 · Atomic layer deposition (ALD) of aluminum nitride (AlN) using in situ atomic layer annealing (ALA) is studied for microelectromechanical systems (MEMS). Effective …