2020年11月9日 · ald（原子层沉积）：可以理解为一种变相的cvd工艺，通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应形成沉积膜的一种方法。 半导体

化学气相沉积(cvd)是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺，根据反应条件（压强、 前驱体 ）的不同又分为 常压cvd （apcvd）、低压cvd（lpcvd）、等离子体增强cvd(pecvd)、高密度等离子体cvd（hdpcvd）和 原子层沉积 （ald）。

原子层沉积 (ald) 和化学气相沉积 (cvd) 都是用于在基底上沉积薄膜的化学工艺，但两者在机理、精度和应用上有很大不同。 ALD 是化学气相沉积的一个分支，它采用一种连续的、自我限制的工艺逐层沉积薄膜，对薄膜的厚度、保形性和均匀性具有出色的控制能力。

物理气相沉积（PVD）和原子层沉积（ALD）是用于不同行业的两种不同的薄膜沉积技术，每种技术都有独特的工艺、优势和应用。 PVD 依靠蒸发或溅射等物理过程来沉积材料，通常温度较低，沉积率较高，适合较简单的几何形状和合金沉积。 相比之下，ALD 是一种化学过程，它利用连续的自限制反应沉积超薄、保形薄膜，并能精确控制厚度，是复杂几何形状和高精度应用的理想选择。 PVD 是一种 "视线 "工艺，而 ALD 则提供各向同性的涂层，确保在所有表面上的均匀覆 …

2023年6月26日 · APCVD（Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition），常压化学气象沉淀法，通常是指在标准大气压下利用气体化合物在固体基板上发生化学反应生成薄膜的工艺。 由于标准大气压下气体分子密度较高，APCVD法沉积速率极快，高达600-1000nm/min。 进行APCVD之前一般需要用不参与反应的惰性气体（常用氮气、氩气等）清洗腔室，再通过该惰性气体作为载气运输反应气体。 同时，由于标准大气压下气体分子间碰撞频率较高，成膜速度过 …

2024年5月21日 · 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一类通过化学反应将气相前驱体转化为固相材料并沉积在基材表面的镀膜技术。CVD的基本原理是通过热解、还原、氧化等化学反应，在基材表面生成薄膜。CVD技术具有材料选择广泛、膜层质量高、工艺灵活等优点。

2023年12月9日 · 相比传统的化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）和物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，简称PVD）， ALD的优势在于成膜具备优异的三维保形性、大面积成膜均匀性，以及精确的厚度控制 等，适用于在复杂的形状表面和高深宽比结构中生长超薄薄 …

原子层沉积（ALD）是一种逐层沉积薄膜的连续、自限制工艺，在厚度、保形性和均匀性方面具有极高的精度，是超薄薄膜（10-50 nm）和高纵横比结构的理想选择。 另一方面，CVD 是一种连续过程，可实现更高的沉积速率和更厚的薄膜，并可使用更广泛的前驱体材料。 ALD 在可控温度下运行，而 CVD 通常需要更高的温度。 这两种方法都可用于薄膜沉积，但 ALD 擅长精确性和一致性，而 CVD 则更适合高通量应用。 ALD:ALD 将沉积过程分解为离散的、自我限制的步骤。 前 …

相比传统的化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）和物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，简称PVD），ALD的优势在于成膜具备优异的三维保形性、大面积成膜均匀性，以及精确的厚度控制等，适用于在复杂的形状表面和高深宽比结构中生长超薄薄膜。

2023年12月11日 · 物理气相沉积（PVD）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 PVD镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。 ②CVD. 化学气相沉积（CVD）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学 …