2024年3月8日 · In this study, we report a superlattice-based AS-ALD (SAS-ALD) process using a two-dimensional (2D) MoS2-MoSe2 lateral superlattice as a pre-defining template.

2014年6月1日 · Atomic layer deposition (ALD) is a vapor phase technique capable of producing thin films of a variety of materials. Based on sequential, self-limiting reactions, ALD offers exceptional conformality on high-aspect ratio structures, thickness control at the Angstrom level, and tunable film composition.

2016年9月1日 · Al 2 O 3 films was deposited by ALD method in temperature 150, 225 and 300 °C. Combined SEM, AES and ToF-SIMS studies confirmed chemical composition of the layers. The best properties exhibits the layer deposited at 300 °C.

2017年1月3日 · Atomic layer deposition (ALD) is an emerging and attractive technique for preparing nanoscale ultrathin films because of high uniformity over a large area, accurate...

2024年5月7日 · 原子层沉积技术（ald）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ald 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。

通过扫描电子显微镜（sem）和x射线衍射（xrd）对涂层的均匀性和厚度进行了表征，确认涂层的质量和结构。 1右图为利用图1. （a）合成后的 NMC811 和（b）ALD NMC811 次级颗粒的扫描电子显微镜（SEM）图像；（c）ALD NMC811 颗粒的明场像以及（d）对应的Ni（蓝色）和Al ...

2014年6月27日 · Results of spectroscopic ellipsometry (SE) reveal that the refractive indices (n) of the ALD films are systematically lower than that of crystalline α-Al 2 O 3 in the wavelength range, 240–850 nm. Higher deposition temperature increased slightly the n values, but at the same time it also increased the roughness of the film surface.

原子层沉积技术（ald）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ald 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。

原子层沉积技术（ALD，Atomic layer deposition）是基于自限制的表面化学反应，对缺乏表面活化学反应基团的二维材料可实现选择性表面纳米晶修饰，其中NC大小可以通过循环次数来控制。

2013年6月10日 · Atomic layer deposition (ALD) is an advanced technique for growing thin film structures. ALD was developed by Tuomo Suntola and co workers in 1974. At first, the method was called Atomic layer epitaxy (ALE). However, today the name “ALD” is more common.