以原子层为单位沉积技术 “Atomic Layer Deposition(ALD)” 的开发克服了原来的半导体技术局限。 ALD 技术和 CVD , PVD 薄膜生长技术相比具有以下优势：1.大部分ALD 工艺在400度以下的低温进行；2.

2024年5月7日 · 原子层沉积技术（ald）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ald 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。

原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积 (CVD) 的高精度薄膜沉积技术，是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术。

在本文中，总结了固有选择性ald方法的最新发展。 基于前体在悬挂键，间隙，晶界等上的优先吸附，可以实现单原子沉积，纳米线生长良好排列和缺陷钝化，以使总表面能最小化。

2024年4月3日 · 采用ald制备的薄膜具有高致密性（无针孔）、高保形性及大面积均匀性等优异性能，这对薄膜的应用具有重要的实际意义。作为集成电路先进制程中薄膜沉积的核心工艺，ald可以在大尺寸（8-12英寸）晶圆纳米孔道内沉积埃米级精度的功能薄膜。

2025年1月12日 · 原子层沉积（atomic layer deposition-ALD）又称 原子层外延方法 （atomic layer epitaxy-ALE）最初是由芬兰科学家于上世纪70年代提出。到了20世纪90年代中期，人们对这一技术的兴趣在不断加强，这主要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断 ...

2014年6月1日 · Atomic layer deposition (ALD) is a vapor phase technique capable of producing thin films of a variety of materials. Based on sequential, self-limiting reactions, ALD offers exceptional conformality on high-aspect ratio structures, thickness control at the Angstrom level, and tunable film composition.

2025年1月14日 · ald 是一种精确的薄膜沉积技术，其核心原理是利用化学反应的“自限性”，以原子或分子层为单位逐层生长薄膜。 具体过程包括： 前体吸附 ：将化学前体（Precursor）引入反应室，前体分子在衬底表面发生吸附，形成单分子层。

2024年12月24日 · ALD（Atomic Layer Deposition）镀膜工艺它可以实现单层薄膜的精确控制和均匀覆盖。 ALD工艺是一种自限制的反应过程，通过在衬底表面交替地引入不同的前驱体气体来实现薄膜的逐层生长。

2025年1月2日 · asm的ald沉积工艺可用于制造出材料质量优异、均匀性和一致性极佳的超薄薄膜。ald沉积被认为是市场上最先进的沉积方法，也是近年来晶圆设备市场增长最快的领域之一。asm作为全球第一大ald设备供应商，拥有市场上最广泛的ald产品和应用。