原子层沉积 （atomic layer deposition，ALD）是基于自限制界面反应的薄膜生长技术。采用原子层技术可以制备结构致密、高保形、低缺陷密度、性能优异、均匀性好的薄膜。

Atomic layer deposition (ALD) is a thin-film deposition technique based on the sequential use of a gas-phase chemical process; it is a subclass of chemical vapour deposition. The majority of ALD reactions use two chemicals called precursors (also called "reactants"). These precursors react with the surface of a material one at a time in a ...

2021年4月30日 · In this work hydrogen and oxygen migration and exchange reactions in the atomic layer deposited (ALD) Al 2 O 3 thin films were studied together with hydrogen incorporation by varying deposition parameters. Al 2 O 3 films deposited at low temperatures can contain more than 20 at.% of hydrogen.

Atomic Layer Deposition (ALD) is a promising technique for producing Josephson junctions (JJs) with lower defect densities for qubit applications. A key problem with...

2014年9月8日 · Atomic Layer Deposition (ALD) is a technique that allows growth of thin films, atomic layer by layer, using the reaction between precursor and hydroxylated surface. For example, Al2O3 layer is grown from water and trimethylaluminum (TMA), as shown below.

ALD （Atomic Layer Deposition）技术是一种特殊的真空薄膜沉积方法，具有较高的技术壁垒。 通过ALD 镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面，每镀膜一次/层为一个原子层，根据原子特性，镀膜 10 次/层约为 1nm。

原子层沉积（ald）是一种用于生产高度均匀的薄膜的涂层技术。氧化铝al 2 o 3主要使用三甲基铝（tma）和水作为前体沉积，并且是迄今为止研究最多的ald工艺。但是，文献中仅有很少的理论研究报道。

2015年1月1日 · A mathematical model of atomic layer deposition of alumina is developed using a TMA + H 2 O ALD operation as a physical base. The model coherently bridges the process dynamics of ALD reactor with the detailed surface chemical kinetics, where the time-dependent variations of surface species are modeled during each precursor pulse.

原子层沉积 (ALD) 是一种改进的 CVD 工艺，用于制造薄膜。 该工艺使用多种气体，这些气体交替导入工艺室。 每种气体的反应方式使得当前表面饱和，因此当反应停止时，替代气体能够以相同的方式与该表面发生反应。 在这些气体的反应之间，用惰性气体（如氮气或氩气）吹扫清洁反应室。 一个简单的 ALD 过程可能如下所示： 1.与第一气体在表面发生自限反应； 2.用惰性气体吹扫； 3.与第二气体在表面发生自限反应； 4.用惰性气体吹扫； 本文介绍 ALD 工艺的一个具体示例 …

原子层沉积（ald）作为一种纳米加工技术，已广泛应用于显示、微电子、纳米技术、催化、能源和涂料等领域。 它表现出优异的共形性、大面积均匀性和对亚单层薄膜的精确控制。