Atomic layer deposition (ALD) is a thin-film deposition technique based on the sequential use of a gas-phase chemical process; it is a subclass of chemical vapour deposition. The majority of ALD reactions use two chemicals called precursors (also called "reactants").

Ald is an obsolete Mongolian measure equal to the average human male's armspan (length between a male's outstretched arms). An ald is therefore approximately equal to 160–180 cm (63–71 in).

原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积 (CVD) 的高精度薄膜沉积技术，是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术。

以原子层为单位沉积技术 “Atomic Layer Deposition (ALD)” 的开发克服了原来的半导体技术局限。 ALD 技术和 CVD, PVD 薄膜生长技术相比具有以下优势：1.大部分ALD 工艺在400度以下的低温进行；2.

2012年11月1日 · ALD Cycle for Al2O3 Trimethyl Aluminum (TMA) reacts with the adsorbed hydroxyl groups, until the surface is passivated. TMA does not react with itself, terminating the reaction to one layer. This causes the perfect uniformity of ALD. The excess TMA is pumped away with the methane reaction product.

2025年1月12日 · 原子层沉积（atomic layer deposition-ALD）又称 原子层外延方法 （atomic layer epitaxy-ALE）最初是由芬兰科学家于上世纪70年代提出。 到了20世纪90年代中期，人们对这一技术的兴趣在不断加强，这主要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降低，而器件中的高宽比不断增加，这样所使用材料的厚度降低值几个纳米数量级，如单原子层逐次沉积，沉积层极均匀的厚度和优异的一致性等就体现出来，而沉积速度慢的问题就显得不那 …

2024年5月7日 · 原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。 理想的 ALD 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。 由于前驱体和共反应物与基底表面基团的反应具有自限性，因此理想情况下每个循环沉积的材料量相同。 通过进行一定数量的 ALD 循环，可以获得目标薄膜厚度。 图 1.由两个半周期组成的典型 ALD 循环示意图。 连续的前驱体和共反应剂剂量通过气体吹扫或泵（抽真空）操作 …

原子层沉积 (ALD)是一种高精度涂层制备的技术，它通过在衬底表面上交替引入不同的化学气相前驱体，实现单原子层精度的薄膜沉积。 在现代半导体和光电领域，薄膜沉积技术是实现高性能器件的关键。

Closed loop feedback control of O3 concentration using built-in O3 monitor. O2 gas flows up to 1000 sccm, O3 concentration up to 22 wt%. Divert line must be pumped since the generator runs @ 30 psig (maintained by BPR) and the ALD unit is …

2018年1月1日 · Atomic layer deposition (ALD) for thin film deposition is one of the most important techniques that is enabling the continuous miniaturization of semiconductor devices.