2023年9月28日 · 氮化铝（AlN）多层高温共烧陶瓷(High temperature co ⁃ fire ceramic，HTCC)基板，热导率高达（170~190）W/（m· K），热膨胀系数仅为4.6×10^-6/℃，与Si等半导体材料相匹配；力学强度高、致密性好，能够满足封…

2021年10月1日 · Aluminium nitride high-temperature co-fired ceramic (AlN HTCC) substrate is a preferred electronic packaging material. It displays a low thermal expansion coefficient, low dielectric constant, low dielectric loss, and high thermal conductivity at a high frequency. It can also prefabricate the circuit inside.

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。 所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。

2 天之前 · 氮化铝高温共烧多层基板（High Temperature Co-Fired Ceramic，HTCC）的制造工艺流程是在AlN粉中加入烧结助剂、添加剂等进行混合制成陶瓷浆料，通过流延成型工艺，制备出AlN生瓷片，将预先设计好的电路通过打孔、填空，印刷等方式用金属浆料制作到生瓷片上，然后 …

在综合考量高频损耗、热导率、生产成本等多方面因素后，我们发现高温共烧陶瓷（htcc）基板凭借其出色的综合性能，如高强度、耐高温、耐磨性好以及成本低廉等，已广泛应用于微波电路、通信工程、高端移动终端、半导体照明以及汽车电子等多个领域。

氧化铝陶瓷技术是一种比较成熟的微电子封装技术，它由92～96%氧化铝，外加4～8%的烧结助剂在1500-1700℃下烧结而成，其导线材料为钨、钼、钼一锰等难熔金属。 该基板技术成熟，介质材料成本低，热导率和抗弯强度较高。 但是，氧化铝多层陶瓷基板有下列缺点： （3）热膨胀系数与硅相差较大，从而限制了它在巨型计算机上的应用。 莫来石的介电常数为7.3-7.5，而氧化铝 (96%)的介电常数为9.4，高于莫来石，所以莫来石的信号传输延迟时间可比氧化铝小17%左 …

2024年4月12日 · 权衡高频损耗、热导率、生产成本等因素，高温共烧陶瓷（HTCC）基板凭借其强度高、耐高温、耐磨性好和成本低等综合性优良性能，广泛应用于微波电路、通信工程、高精尖移动终端、半导体照明和汽车电子等领域。 AlN陶瓷材料不仅具有高热传导率、高绝缘电阻系数、优良的机械强度及抗热震等优良特性，同时还具有良好的机电性能、优良的射频和微波特性以及与硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料相匹配的热特性，非常适合在有功率需求 …

NEC has developed a novel structure of millimeterwave multi-chip-modules (MCMs) for the radiocommunications systems based on the aluminum nitride (AlN) high temperature cofired ceramic (HTCC). This package has the LCC and a waveguide I/O structure.

氮化铝高温共烧多层基板（High Temperature Co-Fired Ceramic，HTCC）的制造工艺流程是在AlN粉中加入 烧结助剂 、添加剂等进行混合制成陶瓷浆料，通过 流延成型 工艺，制备出AlN生瓷片，将预先设计好的电路通过打孔、填空，印刷等方式用金属浆料制作到生瓷片上 ...

2023年4月3日 · HTCC（High Temperature Co-fired Ceramic，高温共烧多层陶瓷）是指在 1,450℃以上与熔点较高的金属一并烧结的具有电气互连特性的陶瓷。HTCC 一般在 900℃以下先进行排胶处理，然后再在更高的 1,500-1,800℃高温环境中将多层叠压 的瓷片共烧成一体。