斯利通氮化铝（aln）陶瓷电路板具有高导热系数（导热率180 w/（m-k）~ 260 w/（m-k）），满足uvc-led高散热的需求，有效的延长 uvc-led的使用寿命。 UVC LED 封装形式多样，大致可以分为有机封装，半无机封装以及全无机封装三种：

2015年2月16日 · Aluminum gallium nitride (AlGaN) has attracted significant attention for deep ultraviolet (DUV) light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8,...

2006年5月18日 · Here we report the successful control of both n-type and p-type doping in aluminium nitride (AlN), which has a very wide direct bandgap 11 of 6 eV. This doping strategy allows us to develop an...

2025年1月22日 · 发光二极管（led）是一种半导体器件，当电流通过时能够发光。 其原理是，p型半导体中的空穴与n型半导体中的电子复合从而产生光。 所发出光的波长取决于半导体材料的带隙。

2010年7月29日 · Nippon Telegraph and Telephone Corporation (NTT) has observed light of 210-nm wavelength from aluminum nitride (AlN) light emitting diodes (LED). This is the shortest wavelength ever observed from any semiconductor, and confirms the long-held theoretical expectation that AlN could emit light in the deep ultraviolet (DUV) region (1) (wavelengths ...

基于InGaN的 蓝光LED 实现了80%左右的电光转换效率，而266nm和300nm深紫外LED的通常只有5%-6%。 虽然效率较低，但深紫外LED的寿命却令人印象深刻。 它们的寿命通常为10,000小时，可用于空气、水净化、消毒、聚合物固化和光疗（详见方框 "UV LED的用途"）。

2020年7月9日 · Zhao等人推出了一种在溅射淀积AlN模板上制作的AlGaN基UV - LED，把外延AlN/ AlGaN超晶格结构插入LED结构和AlN模板之间以降低位错密度，这种282 nm LED的光输出功率在20 mA时达 0.28 mW，外部量子效率为0.32%。

2025年3月1日 · In this work, UVC micro-LEDs with high efficiency, high reliability, and high bandwidth are realized by adding AlN thin layers into the electron blocking layer (EBL), which leads to a record-breaking peak EQE of 3.55 % and a …

2023年3月17日 · Wang et al. 18 observed that the hybrid aluminum nitride (AlN) substrate could effectively improve the efficiency and heat dissipation of multi-chip LED modules. The simulation results provided insight into the temperature distribution inside the LED modules, and showed good consistency with experiments.

通过提高AlGaN 外延材料及量子结构中的Al 组分, 可以实现更短波长的UV LED, 但是源于Al(Ga)N 材料的特性, 随着Al 组分的提高, 高质量材料外延和实现有效掺杂面临越来越高的挑战. 本文首先从材料外延和掺杂研究的角度出发, 分别从UV LED的量子结构与效率、关键芯片工艺、光提取、可靠性与热管理等方面, 详细阐述探讨了发光波长短于360 nm 的DUV LED研究中面临的核心难点及近年来的一系列重要研究进展. AlN, GaN, AlGaN, 紫外发光二极管. 来越多的关注和重视. UV …