State-of-the-art and prospective progress of growing AlN …
2023年9月1日 · The cultivation of AlN using the PVT method necessitates a resilient system that can endure exceedingly high temperatures and withstand the corrosive impact of Al vapor. Furthermore, the system must possess longevity and economic feasibility for sustainable usage.
Ultrawide-bandgap semiconductor AlN crystals: growth and …
This review systematically summarizes the latest research progress in AlN crystals grown by the PVT method in recent years, and introduces their applications in deep UV-LEDs, UV lasers and Schottky barrier diodes (SBDs). Finally, the challenges and …
PVT growth of AlN single crystals with the diameter from nano
2017年6月1日 · Physical vapor transport (PVT) is the most successful and widely used approach for bulk aluminum nitride (AlN) single crystals. During the process of PVT growing AlN crystals, crucible materials, the growth setup, and the growth parameters (e.g., temperature distribution, growth pressure) are crucial.
奧趋光电：氮化铝单晶生长技术进展及其未来挑战
2021年3月10日 · 物理气相传输法（pvt）被公认为生长氮化铝单晶的唯一方法，同质外延生长技术是最终制备高质量、大尺寸氮化铝单晶的最佳方案。 本文浅谈了氮化铝单晶同质外延生长技术的基础原理、最新进展以及面临的挑战。
超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势 - 搜狐
2020年7月9日 · AlN单晶的制备方法主要包括分子束外延（MBE）、氢化物气相外延（HVPE）、金属有机化合物气相淀积（MOCVD）和物理气相传输（PVT）法等。 其中HVPE、MOCVD和MBE法多用来制备薄膜，HVPE生长速度快（100 μm/h），几乎是MOCVD和MBE法的100倍，适合制作较厚的AlN薄膜。 PVT技术的基本原理为高温区AlN源的分解升华，通过温度梯度驱动至籽晶表面重新凝华成晶体，其生长速度比HVPE更快、晶体质量更高，是目前制备大尺寸、高质 …
PVT法AlN晶体生长模式调控研究 | 人工晶体学报 -- 中国光学期刊网
The generation of sub-grains during the preparation of AlN crystals by physical vapor transport (PVT) method can reduce crystal quality, and even lead to the development of polycrystallization. In this paper, the generation and evolution of sub-grains were studied by adjusting the thermodynamic and kinetic growth conditions, and effective ...
北京大学教授于彤军：大尺寸AlN单晶生长研究 - Casmita
2023年12月27日 · 报告指出，研究了SiC衬底上AlN异质PVT生长的形貌控制规律，明确了SiC表面台阶是 AlN台阶式生长并且取得高质量生长表面的前提条件；提出了SiC衬底上两部生长法的AlN异质PVT方法，获得了高质量接近3英寸的AlN／SiC籽晶；基于AlN籽晶的同质生长过程，通过蔓延生 …
北京大学物理学院教授于彤军：大尺寸AlN单晶的同质PVT生长研究
2021年12月23日 · 为了探索大尺寸AlN单晶的同质PVT生长技术路线，研究开展了AlN籽晶上PVT生长研究，实施了设备热场的优化设计和控制，获得了生长速率、生长温度、总压强等因素对表面形貌和晶体质量影响规律；在此基础上，结合有效的Al原子输运控制方法，实现了直径超 …
PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战-【维普期刊官网】 …
本文介绍了AlN单晶的晶体结构、基本性质及PVT法生长AlN晶体的原理与生长习性。 基于AlN单晶PVT生长策略,综述了自发形核工艺、同质外延工艺及异质外延工艺的研究历程,各生长策略的优缺点及其最新进展。 最后对PVT法生长AlN单晶的发展趋势及其面临的挑战进行了简要展望。
可调过饱和度的PVT-AlN单晶生长装置及方法 - X技术网
2025年2月18日 · 而物理气相输运（pvt）方法则利用aln高温下的分解特性，使aln粉体或陶瓷原料在高温区升华，在低温区凝华结晶，最终实现aln单晶晶锭制备。 2、在pvt-aln制备过程中，aln单晶制备受诸多因素影响，如坩埚高低温区之间的温度梯度、籽晶表面温度、坩埚径向温场 ...