SiPM （硅光电倍增器）、 APD （雪崩光电二极管）和 SPAD （单光子雪崩二极管）是目前广泛用于车载传感器中的三种主要光电探测技术，它们在性能、成本、复杂度以及适用场景上各有特点。

2024年4月15日 · APD是在PIN光电二极管中添加内部电流增益区域，通过其内部的雪崩倍增效应从而实现光生电流的放大 。 由于具备 内部增益（10～100），相比于PIN，APD更适合探测微弱的信号。

常见的Ⅲ-V族基APD包括InGaAs/InP材料体系（前为吸收区后为倍增区，后同），InGaAs/InAlAs材料体系，近年来还出现了AlInAsSb、AlGaAsSb等材料。 总体上Ⅲ-V族基APD用于常见短波红外（SWIR）通讯波段的探测，例如1310nm、1550nm的探测。

2023年9月22日 · APD （Avalanche photodiodes）雪崩光电二极管是一种具有增益效果的光电探测器件，由于其具有高速和增益放大的特点，在光通信系统中有着广泛的应用。 其基本的原理在于吸收层吸收光子产生电子空穴对后，在极高的外…

雪崩光电二极管 (APD) (又稱 累崩光電二極體 或 崩潰光二极体)是一种半导体 光检测器，其原理类似于 光电倍增管。 在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用 电离碰撞 （雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。

2024年12月9日 · PMT是真空电子器件，暗电流主要来源于器件的漏电阻和热电子发射；PD、APD、MPPC都属于半导体器件，暗噪声来源主要是暗电流的散粒噪声和分流电阻的热噪声。

该栏目中将对滨松APD产品的选型、参数、常见问题等进行详细解析。 关于APD的常见问题解析。 关于APD模块的常见问题解析。 本文介绍了常见的APD的彩页参数解释。 Copyright © 2016 …

2019年9月10日 · 新能源电池的APD和CPD分别指的是按天付费和按下载付费。

APD指的是雪崩光电二极管，它工作在击穿电压以下，当光子入射到APD光敏区域时，会有一定的概率产生电子空穴对，这些电子空穴对在电场的作用下加速向两极移动，移动过程中会碰撞晶格，速度较大的载流子碰撞晶格会产生新的电子空穴对。

2024年12月7日 · APD的功率来自于两端的电压和中间流过的电流，我们常用的APD偏置高压可能在200V左右，如果中间有1mA的电流流过，那么APD的功率就有200mW了。