热丝化学气相沉积 (HFCVD) 是一种在高温、低压条件下运行的专业 CVD 方法，主要用于生产致密薄膜，尤其是金刚石薄膜。 该工艺包括在高温下对甲烷（CH₄）等碳氢化合物进行热分解，以生成形成薄膜所需的前驱体。 HFCVD 系统的关键部件包括加热丝（通常由钨（W）、铼（Re）或钽（Ta）等难熔金属制成）和基底（通常由硅（Si）制成）。 灯丝的温度保持在 2173 至 2773 K 之间，作为主要热源，将原料气体--氢（H₂）和甲烷（CH₄）--解离成更小的活性碎片。 这种解 …

2025年1月28日 · 当前硅基负极产能以硅氧及球磨法硅碳为主，CVD法产能规划中，海外Group14已量产，天目先导、兰溪致德等初创公司具备百吨级产能，贝特瑞、璞泰来等传统负极公司陆续跟进；当前硅碳负极售价40万元/吨+，主要系多孔碳占成本比例较高，且生产设备仍为20公 …

AY14 Datasheet. Part #: FZG.4N.304.TLAY14. Datasheet: 73Kb/3P. Manufacturer: LEMO Connectors. Description: N - Nuclear Stainless Steel. 3 Results. Part #: FZG.5N.320 ...

2024年1月6日 · CVD（Chemical Vapor Deposition），全称为化学气相沉积，是一种化学反应过程。 它通过将一种或多种气体（称为前驱体）加热使其分解，产生反应生成物，并在半导体表面沉积，形成所需的薄膜。

化学气相沉积（CVD）技术是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术。 典型的CVD工艺过程是把一种或多种蒸汽源原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下发生化学反应并在衬底表面形成所需薄膜的一种方法。

2024年12月27日 · Group14公司率先采用气相沉积CVD法制备出性能优异的新型硅碳复合材料。 2021年4月，Group14旗舰产品“硅碳复合负极材料SCC55TM”在全球首家同类BAM工厂（电池活性材料工厂）开始商业化生产，SCC55TM在内阻、循环、首效等方面性能大幅度提升。

2025年1月2日 · 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）将气态源材料通入反应器中，通过化学反应进行薄膜沉积的一种集成电路制造单项工艺。

化学气相沉积（CVD）被定义为由于气相化学反应而在基体表面上沉积固体薄膜，是一种薄膜工艺，其中沉积物质通常是原子、分子或两者的组合。

2024年11月4日 · HDP-CVD，即高密度等离子体化学气相沉积，是一种特殊的PECVD技术。 它能够在较低的沉积温度下产生比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。

2024年9月6日 · 目前硅碳负极合成分为三种主流路线，分别为研磨法、CVD工艺以及高温热解法，其中CVD工艺被当前视为最具发展潜力，或成为未来主流的工艺。