Scalable AgilentHBT model for GaAs HBTs - IEEE Xplore
In this paper, a scalable large-signal AgilentHBT (AHBT) model for GaAs HBTs is presented. The model parameters can be scaled to describe devices of different physical dimension by using …
一种基于AgilentHBT模型III-V族HBT可缩放建模方法 - 道客巴巴
2020年1月3日 · 本发明首次提出了一种适用于III-V材料HBTs的可缩放AHBT模型，AHBT模型基于UCSD模型的基本概念，改进了对异质结效应的建模，在毫米波亚毫米波频段具有广阔的应用 …
摘要：介绍了AgilentHBT大信号模型参数提取方法，继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提 取方法，以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术，并对单指InPHBT …
一种基于AgilentHBT模型III-V族HBT可缩放建模方法 - 豆丁网
iii‑v材料hbts的可缩放ahbt模型，ahbt模型 基于UCSD模型的基本概念，改进了对异质结效应 的建模，在毫米波亚毫米波频段具有广阔的应用
用于毫米波InP HBT建模的HICUM,VBIC和AHBT模型 - 百度学术
选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT (AHBT)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟 (InP)异质结双极型晶体管 (HBT)器件模型抽取中的特点.HBT模型中的载流子渡越时间方程直接决定模 …
Scalable AgilentHBT model for GaAs HBTs | Semantic Scholar
2019年5月1日 · In this paper, a scalable large-signal AgilentHBT (AHBT) model for GaAs HBTs is presented. The model parameters can be scaled to describe devices of different physical …
用于毫米波InPHBT建模的HICUM_VBIC和AHBT模型_蒋盛烽
2016年11月6日 · HBT 模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于 HBT器件截止频率表征精度，进而影响Pin － Pout和IMD3等非线性仿真精度。在 HICUM ， VBIC和 AHBT模型忽略各自 …
用于毫米波InPHBT建模的HICUM，-中国半导体分立器件分会.PDF
2017年6月6日 · HBT 模型中的载流 子渡越时间方程直接决定模型用于 HBT 器件截止频率表征精度，进而影响 Pin Pout 和 IMD3 等非线性仿真精度。 在HICUM，VBIC 和AHBT 模型忽略各自 …
用于毫米波InP HBT建模的HICUM,VBIC和AHBT模型-期刊-万方数 …
选取了hicum,vbic和agilenthbt (ahbt)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟(inp)异质结双极型晶体管(hbt)器件模型抽取中的特点.hbt模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于hbt器 …
用于毫米波InP HBT建模的HICUM,VBIC和AHBT模型-期刊-钛学术 …
选取了hicum,vbic和agilenthbt (ahbt)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟(inp)异质结双极型晶体管(hbt)器件模型抽取中的特点.hbt模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于hbt器 …