
Back end of line - Wikipedia
Back end of the line or back end of line (BEOL) is a process in semiconductor device fabrication that consists of depositing metal interconnect layers onto a wafer already patterned with devices. It is the second part of IC fabrication, after front end of line (FEOL) .
后道工序 - 维基百科,自由的百科全书
后道工序 [1] 或后端工艺(英語: back end of line ,BEOL,台湾作後段製程 [2] )是IC制造的第二部分,其中各个器件(晶体管、电容器、电阻器等)与晶圆上的布线(金属化层)互连。
关于FEOL、BEOL和MOL的创新方案及通往1nm技术节点的可能途 …
前沿逻辑芯片的制造可以细分为三个独立的部分:前道工序(FEOL)、中间工序(MOL)和后道工序(BEOL)。 FEOL涵盖了芯片有源部分的加工,即位于芯片底部的晶体管。 晶体管作为电气开关,使用三个电极进行操作:栅极、源极和漏极。 源极和漏极之间的导电通道中的电流可以被“开”和“关”,这一操作由栅极电压控制。 BEOL是加工的最后阶段,指的是位于芯片顶部的互连。 互连是复杂的布线方案,它分配时钟和其他信号,提供电源和地,并将电信号从一个晶体管传 …
晶圆前道工艺(FEOL)和后道工艺(BEOL)的区别 - 网易
2024年12月19日 · 在集成电路制造中,前道工艺(FEOL, Front End of Line) 和 后道工艺(BEOL, Back End of Line)是两个密切相关、但工艺内容和目标完全不同的阶段。 要理解它们的区别,可以将整个半导体制造过程比喻为建造一座智能大厦:前道工艺相当于“建设基础与结构框架”,而后道工艺则是“完成内部连线与功能集成”。 一、前道工艺(FEOL)的定义与内容 1. FEOL是什么? 前道工艺是集成电路制造的第一个主要阶段,主要目标是 在半导体晶圆上完成各类器 …
半导体制程中芯片"后道工艺(BEOL)”的详解; - 知乎
2024年6月17日 · 半导体制程中芯片后道工艺(英文:Back-end of Line,简称:BEOL),是半导体制造过程中,从晶圆测试(CP测试)到形成最终电路功能并做完最终检查的关键工艺阶段。
【BEOL】半導体の配線工程とは?工程フローと原理 | Semi journal
配線工程 (BEOL)は「ウェーハ上に形成したトランジスタなどの素子同士を、金属配線により接続する工程」です。 フォトリソグラフィなどで形成した回路や素子が作動するには、外から電気を与える必要があります。 この信号や電気のやり取りを行うため、素子同士は金属配線で接続する必要があります。 配線に使用される金属は大きくアルミニウム (Al)と銅 (Cu)があります。 従来 (180nmノード)までの主流。 微細化の進行に伴い、配線遅延 (RC)の影響が無視できず …
一文读懂-集成电路前道工序( FEOL)和后道工序( BEOL) - 今 …
2020年4月30日 · 后道(back end of line,BEOL)工艺. 后道实际上就是建立若干层的导电金属线,不同层金属线之间由柱状金属相连。目前大多选用 Cu 作为导电金属,因此后道又被称为 Cu 互联(interconnect)。这些铜线负责把衬底上的晶体管按设计的要求连接起来,实现特定的功能。
Interconnect Processing: Integration, Dielectrics, Metals
2022年11月11日 · This chapter covers integration, performance, and three main process sectors concerning back-end-of-line (BEOL) wiring (“interconnect”) process technology: intralevel dielectrics (ILDs), thin-film metals used in thin-film processing, and dielectric...
请专业人士介绍一下晶圆制造中的双大马士革工艺? - 知乎
答:到了更先进的工艺节点(65nm->40nm->28nm->14nm...),后道工艺 (BEOL) 的 Metal 需要做 Low-K,以降低 RC Delay 延时,减少由于后端寄生问题,对整个芯片工作频率所产生的影 …
Metallization Layers in Semiconductor Chips: Aluminum vs. Copper
2023年7月20日 · Aluminum (Al) has been the material of choice for metallization for a significant period since it meets these requirements. By alloying aluminum with small percentages of silicon and copper (known as AlSiCu), some properties can be slightly improved. Challenges with Aluminum and the Transition to Copper
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