
辣椒小课堂 | 了解ALD沉积Al2O3薄膜,看这一篇就够 - 知乎
氧化铝是原子层沉积最常见的薄膜(ALD Al2O3),具有高透明度、高禁带宽度、高介电常数、高阻隔性以及良好的化学和热稳定性,因而作为钝化层、气体渗透阻隔层和栅极介电层等广泛应用于太阳能电池钝化、OLED封装、有机太阳能电池介质层、印刷电子和微电子封装等领域。 相比于 溶胶-凝胶 、 热蒸发 、 磁控溅射 、 化学气相沉积 以及其他薄膜沉积方法,ALD法可以制备结构致密、保形性好、缺陷密度低、性能优异的薄膜,特别适用于在较大深宽比、复杂的3D多孔基材 …
Structure and properties of Al2O3 thin films deposited by ALD …
2016年9月1日 · Al 2 O 3 films was deposited by ALD method in temperature 150, 225 and 300 °C. Combined SEM, AES and ToF-SIMS studies confirmed chemical composition of the layers. The best properties exhibits the layer deposited at 300 °C.
Low-Temperature Al2O3 Atomic Layer Deposition
2004年1月30日 · Al 2 O 3 films were deposited by atomic layer deposition (ALD) at temperatures as low as 33 °C in a viscous-flow reactor using alternating exposures of Al (CH 3) 3 (trimethylaluminum [TMA]) and H 2 O. Low-temperature Al 2 O 3 ALD films have the potential to coat thermally fragile substrates such as organic, polymeric, or biological materials.
Influence of growth temperature on dielectric strength of Al2O3 …
2022年3月24日 · Thin films grown via atomic layer deposition (ALD) suffer from insufficient growth rate and unreliability for temperature-sensitive electronic substrates. This study aimed to examine the growth...
Al2O3 ALD films grown using TMA + rare isotope 2H216O and …
2021年4月30日 · In this work hydrogen and oxygen migration and exchange reactions in the atomic layer deposited (ALD) Al 2 O 3 thin films were studied together with hydrogen incorporation by varying deposition parameters. Al 2 O 3 films deposited at low temperatures can contain more than 20 at.% of hydrogen.
Atomic layer deposition (ALD) is a chemical thin film deposition technique based on the sequential use of self-terminating and cyclic gas-surface reactions,...
薄膜沉积丨原子层沉积(ALD)技术原理及应用 - AccSci英生科技
原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积 (CVD) 的高精度薄膜沉积技术,是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术。
原子层沉积(RS-ALD)技术制备的Al2O3薄膜在TOPCon电池边缘钝 …
通过旋转空间原子层沉积(RS-ALD)技术制备了高质量的Al2O3薄膜,并将其应用于TOPCon太阳能电池的边缘钝化。 经过退火处理后, 电池效率 进一步 提高了0.021%至0.119% , 组件功率提高了0.68 W至3.76 W ,这些结果充分证明 了边缘钝化 在 提高太阳能电池性能 方面的 ...
Plasma and Thermal ALD of Al2O3 in a Commercial 200 mm ALD …
2007年5月21日 · The deposition of by remote plasma atomic layer deposition (ALD) in the Oxford Instruments FlexAL reactor was studied and compared with results from thermal ALD in the same reactor. Trimethylaluminum was used as the metal precursor and plasma and were used as oxidizing agents for the plasma and thermal processes, respectively.
ALD工艺沉积Al2O3薄膜的结构与性能,Vacuum - X-MOL
2016年9月1日 · 摘要 对沉积在热作工具钢基体上的Al 2 O 3 薄膜的显微组织、力学性能和耐腐蚀性能进行了综合研究。 使用原子层沉积 (ALD) 方法在 150、225 和 300 °C 的温度下制备氧化铝层。 作为使用扫描电子显微镜进行测量的结果,观察到所研究涂层的均匀结构没有任何可见的分层。 结合 SEM、AES 和 ToF-SIMS 研究证实了这些层的假定化学成分。 尽管厚度非常低(~200 nm),这些层仍表现出对基材的出色附着力,以及高硬度和耐腐蚀性。 最好的机械性能和耐 …