2006年7月13日 · We examine the effect of growth temperature in the 150−300 °C range on the structural and morphological properties of Al 2 O 3 films deposited using atomic layer …

2021年4月30日 · In order to track the hydrogen and oxygen movement in the films, heavy water (2 H 2 16 O) and oxygen-18 enriched water (1 H 2 18 O) were used as precursors in …

氧化铝是原子层沉积最常见的薄膜（ALD Al2O3），具有高透明度、高禁带宽度、高介电常数、高阻隔性以及良好的化学和热稳定性，因而作为钝化层、气体渗透阻隔层和栅极介电层等广泛应 …

2011年4月7日 · Abstract: Alumina (Al 2 O 3) thin films have been deposited on silicon substrates by atomic layer deposition at 200°C using TMA as Al precursor and H 2 O or O 3 as oxygen …

Layer Deposition (ALD) is a promising and unexplored alternative to thermal oxidation. Depicted schematically in Fig. 1, ALD is a chemical vapor growth method that uses...

Atomic layer deposition (ALD) of Al2O3 using trimethylaluminum (TMA) and H2O is the most widely and deeply studied ALD process owing to the superior properties of the deposited …

该方法通过优化工艺条件，在4 Torr的工艺压力和300 sccm的三甲基铝（TMA）流量下制备出高质量的Al2O3薄膜。 Al2O3薄膜制备的RS-ALD反应机制 实验步骤：

2016年4月11日 · Trimethylaluminum (TMA, Al (CH 3) 3) was used as the metal precursor, together with HF, for the atomic layer etching (ALE) of Al 2 O 3 using sequential, self-limiting …

2006年7月13日 · 三甲基铝（tma）是金属来源。 使用从头算来研究O 3反应的机理，并为观察到的温度依赖性提供了解释。 模拟结果表明，吸附的甲基被O 3氧化，在表面产生了羟基。

2023年5月1日 · Aluminum oxide (Al 2 O 3) thin films were deposited from trimethylaluminum (TMA) and H 2 O on Si substrates and α-Cr 2 O 3 seed layers using thermal and plasma …