电容（Ciss／Crss／Coss）：在MOSFET中，栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。 因此，功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容，具体如下图所示。

Ciss，Coss，和Crss,跟栅极电荷一样影响着开关性能。 MOSFET作动的过程，就是栅极电压对源极、漏极电容充放电的过程。 Cgs：栅极和源极之间的等效电容。

Crss（反向传输电容或米勒电容）：直接连接于栅极和漏极之间的电容，表示为Crss = Cgd。Crss对MOSFET的工作非常重要，特别是在高速切换条件下，它可以引起正反馈效应，导致不必要的振荡或者延迟关闭过程。

In a MOSFET, the gate is insulated by a thin silicon oxide. Therefore, a power MOSFET has capacitances between the gate-drain, gate-source and drain-source terminals as shown in the figure below. C iss is the input capacitance, C rss is the reverse transfer capacitance, and C oss is the output capacitance.

2022年3月31日 · 一般MOSFET的技术规格中与这些寄生电容相关的参数为表中的Ciss、Coss、Crss三项。 在按静态特性与动态特性分别记述的技术规格中，是被分到动态特性中的。

2023年2月9日 · Ciss is the input capacitance, Crss is the reverse transfer capacitance, and Coss is the output capacitance. Capacitances affect the switching performance of a power.

2020年4月14日 · 无论是CiSS、Coss、Crss中的哪一个，我们都希望他们尽量小一些。 Ciss会增加驱动功率，高频应用时，栅极驱动信号需要对Ciss充电和放电，因而会影响开关速度，降低驱动电路的输出阻抗有利于提高输出电流，提高对Ciss的充放电速度，有利于提高开关速度。

2022年11月24日 · MOS管的COSS参数是指在小信号模型中，输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反射电容（Crss）之间的关系。 Coss 代表输出电容，它是指 MOS 管输出极和衬底之间的电容。

2025年1月1日 · The comprehensive understanding of distinctive CRSS in Ti alloys is elaborated for active slip systems, short-range order (SRO), temperature, and tension-compression (T-C) asymmetry. The Wigner-Seitz (WS) cell, recently introduced in CRSS theory, is applied to characterize local change of coordination number (CN) and SRO in HCP lattice upon ...

2019年6月10日 · 本文是关于annt库，它提供了一些常见的神经网络体系结构的实现，并将它们应用于不同的任务。 理论背景. 由于主题并不新鲜，人工神经网络理论，不同架构及其培训有很多可用资源。