Velkommen til Ås vgs. Her finner du viktig informasjon for elever, foresatte og søkere. Vi viser også frem hverdagen på skolen og våre resultater.

2024年10月6日 · Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。 增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流

vgs是指mosfet的栅极（g）与源极（s）之间的电压。 它是控制MOSFET导通与截止的关键参数。 对于N沟道增强型MOSFET，当VGS大于开启电压（Vth）时，MOSFET导通；当VGS小于Vth时，MOSFET截止。

Velkommen til Ås VGS! Hos oss vektlegger vi trivsel og fellesskap som grunnlaget for læring, og alle skal føle seg sett, hørt og verdsatt. Vi er også heldige som kan trekke på skolens lange tradisjoner, samtidig som vi hele tiden har blikket rettet framover.

2024年10月2日 · 漏源击穿电压BVDS是指在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS。 ID剧增的原因有：漏极附近耗尽层的雪崩击穿和漏源极间的穿通击穿。 栅源击穿电压BVGS是指在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS。 低频跨导gm是指在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。 gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数，一般 …

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2021年6月2日 · NMOS管的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手...

2024年9月29日 · 了解MOSFET中Vgs（栅极-源极电压）与Vds（漏极-源极电压）的相互作用是设计高效电路的关键。 本文详细剖析了Vgs与Vds在不同工作区间的作用机制,并提供了实际电路设计中的优化建议和典型应用案例。

Ledige stillinger fra august 2025 er nå tilgjengelige. Ås Videregående søker lærere i ulike fag og avdelingsleder i Teknologi- og Industrifag. Ungdata-undersøkelsen gjennomføres blant elever på videregående skoler i Akershus i løpet av uke 10 til 13. Målet er å få en oversikt over hvordan ungdom har det, og hva de driver med i fritida.

2017年10月26日 · MOSFET的V GS (th)：閘極閾值電壓是為使MOSFET導通，閘極與源極間必需的電壓。 也就是說，V GS 如果是閾值以上的電壓，則MOSFET可導通。 可能會有人提出疑問說這種「MOSFET導通」的狀態，到底「電流ID是多少的狀態呢？ 」。 的確，I D 會隨V GS 而產生變化。 從V GS (th) 規格值的角度來看，只要條件沒有確定，就無法保證V GS (th) 的值，因此在MOSFET的技術規格中明確規定了條件。 這張表個是從N-ch 600V 4A的功率MOSFET： …