分子束外延 （英語： Molecular beam epitaxy, MBE）是使 单晶材料 生长的一种方法，由 贝尔实验室 的J. R. 亚瑟（J. R. Arthur）和 卓以和 （Alfred Y. Cho）于1960年代后期发明 [1]。 分子束外延于高 真空 或超高真空（ultra-high vacuum，10 −8 帕斯卡）的环境进行。 分子束外延最重要的方面是其低沉积率，通常使 薄膜 以每小时低于3000 纳米 的速度 磊晶 生长。 如此低的沉积率要求真空程度足够高，以达到其他沉积分子束式同等级别的洁净程度。

分子束外延（以下简称MBE）是一种化合物半导体多层薄膜的 物理淀积技术。 其 基本原理 是在超高真空条件下，将组成薄膜的各元素在各自的分子束炉中加热成定向分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长（如图1所示）。 [1] 整个生长过程是在 超高真空环境 下进行的，避免了杂质的影响，因而能制备出高纯的薄膜。 生长速率低且可控，便于在原子尺度精确控制薄膜的厚度、组分和掺杂量。 生长温度较低，且蒸发源和衬底温度可分别控制，可减少成长过程中产生的 热缺陷和 …

Au2O3 crystallizes in the orthorhombic Fdd2 space group. The structure is three-dimensional. Au3+ is bonded in a rectangular see-saw-like geometry to four O2- atoms. There are a spread of Au–O bond distances ranging from 1.99–2.11 Å. There are two inequivalent O2- sites.

2025年2月19日 · 分子束外延（mbe）与金属有机化学气相外延（mocvd）技术，均为针对iii-v族半导体合成的关键外延生长技术。 这两种技术均通过逐层沉积原子至衬底或半导体晶圆上，来制造具有精确成分与厚度的薄晶体层及半导体异质结构，从而满足特定的光电性能和设备需求。

2024年4月20日 · 分子束外延（MBE，Molecular Beam Epitaxy）是一种高级的纳米级材料制备技术，主要用于在半导体衬底上生长高纯度、高精度的单晶薄膜。 该技术在1960年代由美国贝尔实验室的科学家们开创，自那时以来， MBE 在 微电子 、光...

2024年11月1日 · β-Ga 2 O 3 has emerged as a highly promising ultra-wide bandgap semiconductor material for next-generation high power electronics and solar-blind deep ultraviolet (DUV) photodetectors, owing to its exceptional material properties such as ultra-large bandgap of ∼4.85 eV and high theoretical breakdown field strength of 8 MV/cm [[1], [2], [3], [4],...

mbe技术，以其对薄膜生长和质量的精细把控，在材料科学和器件工程领域占据着举足轻重的地位。 其出色的生长控制能力和对多种材料的生长适应性，使得它在半导体器件制造、光电子器件以及量子器件等多个领域都发挥着不可或缺的作用。

2019年2月26日 · We performed optimization of MBE growth conditions of nucleation, buffer and active layers of HEMT heterostructures on sapphire substrates resulting in substantial improving of 2DEG properties. In addition, a new original combined MBE approach was applied to growth of the HEMT heterostructures which included growth of a nucleation AlN in PA ...

2020年1月23日 · We report a comparative study of MBE grown Mn 4 N thin films on four crystalline substrates: cubic MgO, and hexagonal GaN, SiC and sapphire. Under similar growth conditions, the Mn 4 N film is found to grow single crystalline on MgO and SiC, polycrystalline on GaN, and amorphous on sapphire.

2021年11月20日 · 分子束外延（molecular beam epitaxy, MBE）技术是由美国贝尔实验室的Arthur J. R.和 Cho A. Y.（卓以和）构想和发明[1]，是曾在半导体砷化镓薄膜的外延生长中大放异彩先进的薄膜材料制备手段。