半导体“等离子增强化学气相沉积（PECVD）”工艺技术的详解；
等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …
十分钟读懂PECVD - 知乎 - 知乎专栏
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。 其工艺原理示意图如图1所示。 图1 PECVD工艺原理. 在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。 这些分解物发生 …
PECVD基本原理以及系统介绍 - 知乎 - 知乎专栏
PECVD （Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition， 等离子体增强化学气相沉积 ）是一种利用等离子体辅助的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、微电子、光学和光伏等领域。以下是PECVD的原理概况：
Low temperature plasma enhanced CVD epitaxial growth of …
2016年5月11日 · Together, TEM and XRD analysis demonstrate that PECVD enables the growth of high quality relaxed single crystal silicon on GaAs.
等离子增强型化学气相淀积（PECVD）技术分类及设备结构详解
MWECR-PECVD技术巧妙地结合了微波与磁场，利用电子的回旋共振效应在真空环境中产生高活性、高密度的等离子体，从而引发气相化学反应。 这一技术能够在低温条件下制备出高质量的薄膜。 其等离子体由电磁波激发，频率常设为2450MHz，通过调整电磁波光子能量，可以精准控制气体分解成粒子的能量和寿命，进而显著影响薄膜的生成与表面处理机制，从而确保薄膜的结构、特性及稳定性达到理想状态。 在低气压环境中，PECVD技术通过低温等离子体在工艺腔体的阴 …
Unaxis PECVD - UCLA Nanolab
The Unaxis 790 Series Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) system is used for the deposition of SiO2 & Silicon Nitride on Silicon and other wafers. The 790 Series systems are designed to provide plasma scientists with a flexible and cost effective platform for parallel plate processes.
Lpcvd、Pecvd 和 Icpcvd 工艺的比较与应用分析 - Kintek Solution
ICPCVD（电感耦合等离子体化学气相沉积） 是 PECVD 的一种高级形式，其特点是等离子体密度更高，能量分布更均匀。 因此，即使在较低的压力和温度下，也能获得出色的薄膜质量和均匀性。 ICPCVD 尤其适用于在形状复杂的表面沉积薄膜，以及需要高质量、低温薄膜的应用。 上述每种技术都具有独特的优势和挑战，因此适用于半导体和微电子行业的不同应用。 了解这些区别对于选择最适合特定制造需求的 CVD 方法至关重要。 低压化学气相沉积（LPCVD）是一种在亚大气 …
Pecvd 工艺类型、设备结构及其工艺原理 - Kintek Solution
射频增强等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）是一种在基底上沉积多晶薄膜的复杂技术。 这种方法利用辉光放电等离子体的能量来影响低压化学气相沉积过程，从而提高薄膜形成的质量和效率。 RF-PECVD 的起源可以追溯到 1994 年，当时日本柯尼卡公司首次提出了这种方法，并以其主要使用射频（RF）产生等离子体而命名。 射频-PECVD 工艺的特点是使用两种主要的射频电场耦合方法：电感耦合和电容耦合。 这些方法对等离子体生成的效率和效果起着至关重要的作用，而 …
AXIC Benchmark 800® – Axic
The BenchMark 800 Plasma Processing System from Axic, Inc. defines a new concept in RIE and PECVD plasma processing Systems. The system is based on a modular design starting with a universal chamber and cabinet unit with Planar, RIE and PECVD electrode modules available for easy installation into the chamber unit.
等离子体增强化学气相沉积 (Pecvd)：综合指南 - Kintek Solution
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种多功能制造技术，它利用等离子体增强有机和无机化学单体的反应性，从而沉积薄膜。 这种反应性的提高使其能够使用多种材料作为前驱体，包括那些传统上被认为是惰性的材料。 PECVD 能够使用固体、液体或气体形式的前驱体，从而方便、快速、无溶剂地制造薄膜涂层。 高密度等离子体增强化学气相沉积（HDPECVD）是在利用两种电源的沉积设备中进行的。 一个是与基底直接接触的偏置电源电容耦合等离子体，另一个是作为外 …