Jan 17, 2012 · ron = delta vCE/delta iC, at the active region of BJT operation. Simply put: Forward resistance of the Collector to Emmitter PN Junction. Lower the On resistance, lesser is the power disspated by the transistor. Higher the ON resistance, more is the power dissipated by the device.

MOSFET的消耗功率是用汲極-源極間導通電阻（R DS (ON)）計算。 MOSFET消耗的功率P D 用MOSFET自身具有的導通電阻乘以汲極電流（I D)的平方表示。 此功率將變成熱量散發出去。 MOSFET的導通電阻一般在Ω極以下，與一般的電晶體相比，消耗功率小。 即發熱小，散熱對策簡單。 如左上圖所示，閘極源極間電壓越高，導通電阻越小。 另外，閘極源極間電壓相同的條件下，導通電阻因電流不同而不同。 計算功率損耗時，需要考慮閘極源極間電壓和汲極電流，選 …

随后，我去百度了一下mos管参数中的ron和 rout ron：大信号情况下的电阻，直流电阻，或者是导通电阻，其值，ron=VDS/IDS，（大写指的是直流，小写是交流，大小写混合是交直流，学电路的时候应该有介绍）

比导通电阻值(Ron,sp)是评价单极型功率器件性能的重要指标，其物理意义为器件导通电阻乘以芯片有源区(有效导通区域)面积，数值越小表示技术水平越高，即相同导通电阻值产品所需的芯片面积越小。

Aug 18, 2020 · Ron多指MOS管工作在线性区的电阻特性,而Rout则较为广泛,个人意见

BJT的电流和电压公式. Ice和Vbe呈指数关系. BJT的小信号模型 gm和ro公式. BJT的gm/Ice达到40/V, 远大于MOS. MOS要处于饱和区, 需要Vds>Vgs-Vth. BJT处于饱和区, 只需要Vce>Vce,sat=几倍kT/q=4*26mV, 大约为0.1V. 因此BJT适用于Low Power Supply场景.

Dec 1, 2015 · It's a subscripted letter O. ro r o is the output resistance of the transistor. It represents the fact that the transistor is not an ideal voltage-controlled current source. The collector/drain voltage does have some influence on the current, and that's what ro r o models.

May 11, 2005 · Ron or the effective output impedance of the MOS can be calculated by plotting the Ids vs Vds curve. The slope of the graph with the inverse will give you the Ron in the saturation. By formula Ron = 1/ λIds.

Nov 28, 2015 · 1) Let say RON is feed with logic 1 or 0 - What will happen to the Gate, Drain and Source of MOSFET in term of voltage flow? 2) Let's say IVCR is feed with analog input - What is the role of the IVCR in this design?

mos导通电阻ron是指金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）在导通状态下的电阻值。 在MOSFET的导通状态下，通过源极和漏极之间的电流流过导通道，这时导通电阻Ron的大小对电路的性能和功耗有重要影响。