Figure 2 b-d shows typical B1s, N1s, and O1s spectra. The binding energy is calibrated with reference to the C1s energy (284.8 eV). The B1s spectra in Figure 2 b are identified to be B-N peak...

免费的材料分析、检测技术纯干货来了，XPS图谱分析之-N1s 图谱分析（氮化物、有机氮、吡啶吡咯氮）。 探究号会陆续更新更多技术包括（XPS/ TOF-SIMS/ FIB/TEM/SEM-EDS/AES/AFM/ FTIR/ GC-MS/ etc）原理、应用、数据分析等；以及材料分析、失效分析相关案例；欢迎有分析检测、技术培训需求的小伙伴和同行们积极评论、收藏和转发！ 我们专注于材料分析技术培训、分析方案制定、分析案例分享和数据解析。 欢迎有测试和分析需求的小伙伴关注我们，并在评论 …

Oxygen and carbon peaks shown in survey plot most likely resulted from the exposure of f-BNNSs to air or during the XPS measurement groundwork. The deconvoluted binding energies of B 1s at 189.6...

7、 x射线光电子能谱 （xps）： 如图7b所示，ffsa的xps光谱揭示了n1s和o1s光谱的存在，可分别归因于研磨过程中涉及氧气和氮气的等离子体处理。与ffsa相比，ffsa9bn1和ffsa8bn2复合材料表面上的fe、si和al的特征峰几乎消失，表明复合材料的表面被h-bn致密覆盖。

这和普通的XPS图有什么区别？ 还有，为什么B 1s的谱峰长得就和基线一样，小峰特别多，感觉信噪比很低；而C 1s谱和N 1s谱就很平滑，很好看呢？ 谢谢. X-MOL学术平台旗下问答系统，汇集专家智慧，共同解决问题。 化学及相关领域的专业问题，包括实验原理、实验操作、反应路线、实验设计等，还有求职招聘及职场生涯的答疑解惑.

2015年3月4日 · Here we report the direct growth of large-area graphene/h-BN vertical heterostructures by a co-segregation method. By one-step annealing sandwiched growth substrates (Ni (C)/ (B, N)-source/Ni) in...

2012年2月1日 · The defects, impurities and their bonding states of unintentionally doped cubic boron nitride (cBN) single crystals were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results indicate that nitrogen vacancy (V N ) is the main native defect of the cBN crystals since the atomic ratio of B:N is always larger than 1 before Ar ion ...

2015年5月16日 · 从 xps 谱图计算得到含有立方相的氮化 硼薄膜的N/B 为0.90，较接近于氮化硼的理想化学配 比1:1；不含立方相的氮化硼薄膜的N/B 为0.86，离

这样 一来，立方氮化硼薄膜的XPS谱图中B1s和N1s峰位， 应介于纯立方氮化硼和纯六角氮化硼之间。 我们可以 化硼薄膜的 N/B 为 0.86，离氮化硼的理想化学配比

Figure 2 b-d shows typical B1s, N1s, and O1s spectra. The binding energy is calibrated with reference to the C1s energy (284.8 eV). The B1s spectra in Figure 2 b are identified to be B-N peak...