Oxygen and carbon peaks shown in survey plot most likely resulted from the exposure of f-BNNSs to air or during the XPS measurement groundwork. The deconvoluted binding energies of B 1s at 189.6...

Figure 2 a shows that the sample surface consists of N, B, C, and O with binding energies of N1s, B1s, C1s, and O1s at 398.62, 190.78, 284.8, and 532.5 eV, respectively. Figure 2 b-d shows...

7、 x射线光电子能谱 （xps）： 如图7b所示，ffsa的xps光谱揭示了n1s和o1s光谱的存在，可分别归因于研磨过程中涉及氧气和氮气的等离子体处理。与ffsa相比，ffsa9bn1和ffsa8bn2复合材料表面上的fe、si和al的特征峰几乎消失，表明复合材料的表面被h-bn致密覆盖。

2012年2月1日 · The defects, impurities and their bonding states of unintentionally doped cubic boron nitride (cBN) single crystals were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results indicate that nitrogen vacancy (V N) is the main native defect of the cBN crystals since the atomic ratio of B:N is always larger than 1 before Ar ion ...

2015年5月16日 · 从 xps 谱图计算得到含有立方相的氮化 硼薄膜的N/B 为0.90，较接近于氮化硼的理想化学配 比1:1；不含立方相的氮化硼薄膜的N/B 为0.86，离

今天给大家介绍几种对氮化硼来说常见的表征方法。 1、扫描电子显微镜（SEM）： 如图1所示，原始h-BN粉末显示出厚度为几百纳米、横向尺寸为几微米的板状结构，也可以观察到层状结构。 通过图c和d的比较，OH-BN纳米片的厚度远小于原始h-BN薄片的厚度，且从图中很难确定OH-BN纳米片的精确厚度和层数。 图1. h-BN粉末和OH-BN纳米片的SEM图. 2、透射电子显微镜（TEM）： 利用聚焦离子束制备TEM样品，通过TEM来表征样品的微观结构，以进一步研究两 …

xps测试时样品表面的电荷积累会引起特征峰结合 能的位置的移动(为节约篇幅,我们略去了样品的xps 谱 图 全 图 ) ， 我 们 以 c1s 的 峰 位 (284.60ev) 为 标 准 对 xps谱图进行了定标。

O-BC-2-650和O-C-650的C 1s和O 1s光谱显示，这两种样品的C和O含量及其形式基本相同。 值得注意的是，O-BC-2-650中的O-BC2的百分比为23.8%，高于RT-O-BC-2（19.8%）。 硼-氧-碳结构的均匀分布还可以提高碳表面的润湿性和耐久性，并改善碳基底的电化学活性。 ©《中国科学》杂志社. Use with credit. Original...

XPS 光谱解读. O1s 谱图的解读较复杂。 除金属氧化物外，许多化合物和氧化物的 O1s 结合能对应的范围非常窄。 O1s 峰一般较宽，有多个重叠峰。 例如，因存在水和/或有机化合物污染而导致与 SiO 2 峰干扰严重。 有机化合物污染还导致难以区分 O1s 区域的碳酸盐类 ...

Figure 2 a shows that the sample surface consists of N, B, C, and O with binding energies of N1s, B1s, C1s, and O1s at 398.62, 190.78, 284.8, and 532.5 eV, respectively. Figure 2 b-d shows...