SOT−23 CASE 318 STYLE 21 1 J1 = Device Code M = Date Code* = Pb−Free Package (Note: Microdot may be in either location) *Date Code orientation and/or overbar may vary depending upon manufacturing location.

These N−Channel enhancement mode field effect transistors are produced using onsemi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on−state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance.

BSS138由CJ (江苏长电/长晶)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥0.0666，封装为SOT-23。 商城还提供BSS138专业中文资料、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。

BSS138LT1G由onsemi (安森美)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥0.1675，封装为SOT-23。 商城还提供BSS138LT1G专业中文资料、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。 参数：类型：1个N沟道；漏源电压 (Vdss)：50V；连续漏极电流 (Id)：200mA；导通电阻 (RDS (on))：5.6Ω@2.75V；耗散功率 (Pd)：225mW；阈值电压 (Vgs (th))：500mV；输入电容 (Ciss@Vds)：50pF@25V；反向传 …

This product has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. The BSS138 is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power …

BSS138是采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产的50V N通道逻辑电平增强模式场效应晶体管。 该器件的设计旨在最大程度地降低导通电阻，同时提供坚固，可靠和快速的开关性能。

2025年4月4日 · BSS138 onsemi / Fairchild MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC datasheet, inventory, & pricing.

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 BSS138特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。

深圳市科鑫电子有限公司为您提供国产BSS138 J1，品牌：三联盛/国产中性、类型：0、型号：BSS138 J1、封装：SOT-23、参数规格：，还有BSS138 J1PDF数据手册等；更多关于国产BSS138 J1的详情，请咨询本公司。

2024年7月19日 · BSS138是一款性能优异的N沟道增强型MOSFET晶体管，具有高电压承受能力、低导通电阻、低开启电压、快速开关速度和小封装体积等特点，电路设计需要遵循一定的流程和注意事项，以确保电路的可靠性和稳定性。