哪位大神知道什么是深n阱，最好能介绍下作用，谢谢了 - Layout …
2017年5月25日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。 于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里 …
Using Deep N Wells in Analog Design - CSDN博客
2021年10月19日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。 而对NMOS而言，它们的 well （P-sub）会通过wafer …
BCD工艺中DN和DNW的区别 - Layout讨论区 - EETOP 创芯网论坛 …
2023年4月26日 · DNW 的D就是deep，所以深度比NW深，一般浓度比NW低，目的的确是提高D端耐压，因为相当于增加了漂移区电阻，在D端串联个电阻 EETOP创芯人才网职位发布入口
请教：BN DNW 两层 - Layout讨论区 - EETOP 创芯网论坛 (原名： …
2013年5月13日 · 它们是不一样的，同样的深度是因为BN和DNW要实现低阻连接才有意义。 功能上，BN将N型外延与P型衬底隔离；DNW提供接触。也就是说大多数的电子在正常工作时是这 …
developed in 55 nm bipolar-CMOS-DMOS (BCD) technology, which achieves high photon detection probability (PDP) while its breakdown voltage is lower than 20 V. To enhance the …
我对CMOS工艺下的BJT掌握到了什么level？ - 知乎专栏
在有DNW的CMOS工艺中或者有双 P-well 的CMOS中，是可以有寄生的NPN的。 在DNW工艺中，DNW本身就是用来制造隔离的NMOS，DNW的存在使得NMOS的P衬底是”本地“的，即可以 …
【零基础芯片入门课】Day 28 BCD工艺基础笔记 - 知乎
BCD工艺是指将Bipolar、CMOS和DMOS三种工艺整合在一起的系列工艺技术，也就是单片集成工艺技术。该技术最早由意法半导体（ST）在1986年研发出来。BCD工艺能够把双极Bipolar器 …
【转载】关于深N肼 - CSDN博客
2020年4月8日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p …
0.5um BCD工艺设计原理：电路与工艺协同进化的秘诀 - CSDN文库
2024年12月24日 · BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺融合了双极型晶体管、互补金属氧化物半导体（CMOS）和扩散型金属氧化物半导体（DMOS）技术，使其在高效率、高功率应用领域具 …
BCD工艺与LDMOS管详解-CSDN博客
2017年7月24日 · 介绍了BCD (bipolar CMOS DMOS）的工艺原理、特点和发展前景。对BCD 工艺兼容性 进行了说明，着重阐述了L D M O S 的工艺原理和关键工艺设计考虑。