2024年12月30日 · BEOL ETCH是针对这些材料和结构的精确图形化过程，用以实现导线、 过孔 （Via）等功能结构。 简单比喻：将集成电路制造比作建造城市，BEOL ETCH就像是铺设城 …

Back end of the line or back end of line (BEOL) is a process in semiconductor device fabrication that consists of depositing metal interconnect layers onto a wafer already patterned with …

2022年11月11日 · This chapter covers wet processes for logic back-end-of-the-line interconnect technology – namely, wet cleans and wet etching (Sect. 6.1), electroplating (Sect. 6.2), and …

2024年12月28日 · BEOL ETCH是針對這些材料和結構的精確圖形化過程，用以實現導線、過孔（Via）等功能結構。 簡單比喻：將集成電路製造比作建造城市，BEOL ETCH就像是鋪設城 …

2024年12月29日 · BEOL ETCH是针对这些材料和结构的精确图形化过程，用以实现导线、过孔（Via）等功能结构。 简单比喻：将集成电路制造比作建造城市，BEOL ETCH就像是铺设城 …

In this work, we propose a solution for SOC profile control for BEOL applications requiring small CD and vertical profiles. In our approach, the SOC etch step consists of recipe A (oxygen …

2017年2月23日 · Dielectric Barrier (DB)/Etch Stop Layer (ESL) Scaling to the Rescue Modelling suggest thinning or scaling the DB to 5 nm NDC thickness provides 7% keff reduction, which is …

2024年12月31日 · BEOL ETCH是针对这些材料和结构的精确图形化过程，用以实现导线、过孔（Via）等功能结构。 可以将集成电路制造比作建造城市，BEOL ETCH就像是铺设城市的地 …

Back-end-of line (BEOL) interconnect scaling has led to the implementation of self-aligned via (SAV) schemes for ≤ 90 nm BEOL pitches [1]. In one implementation

2018年12月31日 · For logic nodes of 7 nm and beyond, back-end-of-line (BEOL) trench patterns have a critical pitch of less than 40 nm, directly affecting the plasma etch process window of …