Back end of the line or back end of line (BEOL) is a process in semiconductor device fabrication that consists of depositing metal interconnect layers onto a wafer already patterned with devices. It is the second part of IC fabrication, after front end of line (FEOL) .

前沿逻辑芯片的制造可以细分为三个独立的部分：前道工序（FEOL）、中间工序（MOL）和后道工序（BEOL）。 FEOL涵盖了芯片有源部分的加工，即位于芯片底部的晶体管。 晶体管作为电气开关，使用三个电极进行操作：栅极、源极和漏极。 源极和漏极之间的导电通道中的电流可以被“开”和“关”，这一操作由栅极电压控制。 BEOL是加工的最后阶段，指的是位于芯片顶部的互连。 互连是复杂的布线方案，它分配时钟和其他信号，提供电源和地，并将电信号从一个晶体管传 …

2024年12月19日 · 在集成电路制造中，前道工艺（FEOL, Front End of Line） 和 后道工艺（BEOL, Back End of Line）是两个密切相关、但工艺内容和目标完全不同的阶段。 要理解它们的区别，可以将整个半导体制造过程比喻为建造一座智能大厦：前道工艺相当于“建设基础与结构框架”，而后道工艺则是“完成内部连线与功能集成”。 一、前道工艺（FEOL）的定义与内容 1. FEOL是什么？ 前道工艺是集成电路制造的第一个主要阶段，主要目标是 在半导体晶圆上完成各类器 …

2024年6月17日 · 半导体制程中芯片后道工艺（英文：Back-end of Line，简称：BEOL），是半导体制造过程中，从晶圆测试（CP测试）到形成最终电路功能并做完最终检查的关键工艺阶段。

For BEOL, a CVD-MnOx layer could be formed conformally in high-aspect ratio contact holes. The ALD-MnOx layer of 1.2 nm thick showed a good diffusion barrier property at 400 °C. For 3D integration, TSV of 10 μm diameter and 80 μm depth could be filled with low resistivity sintered Cu paste without voids.

This study successfully integrated HfOx/AlOy superlattice-like (SLL) memristors in the 0.18/ 0.5 μ m CMOS back-end-of-line (BEOL) process and statistically analyzed their performance. We identified that BEOL annealing ( 400 ∘ C/30 min) can cause oxygen diffusion and short-circuiting, but reducing Ti electrode thickness mitigates this issue.

2023年3月14日 · 要形成金属阻挡层，我们要先在硅表面涂敷钛（Ti）或钴（Co）等材料，使其与硅发生反应生成硅化物接触结构（Contact Silicide）。 这一过程被称为硅化工艺（Silicidation） 。

2019年4月4日 · ILD是器件与第一层金属之间的介质，完成ILD-1之后进行高k金属栅替换临时虚拟栅。 接触孔是器件与第一层金属之间的连接通道，钨栓填充接触孔。 9.1.1， PECVD 氦作用下硅烷与一氧化二氮反应（400 ℃）淀积氮氧化硅，（防止硼磷硅玻璃中 B/P 析出影响衬底器件）。 9.1.2.SACVD 淀积 TEOS-O 3二氧化硅 (400 ℃) 淀积硼磷硅玻璃 2000Å， [TEOS-O3+B (OC2H2） +PO (OC2H5) 加热] 之后 660 ℃氮气中回流，清洗去除析出的硼和磷。 9.1.3 …

2021年8月3日 · 本发明提出了一种基于beol工艺的集成电路结构的形成方法，包括以下步骤： 步骤s1、提供基体，该基体包括low-k介电层、覆盖在low-k介电层底面的第一覆盖层以及布置在第一覆盖层底面的多条铜线；

2024年12月30日 · “后段刻蚀工艺（Back-End of Line ETCH，简称BEOL ETCH）”作为集成电路制造的重要环节，其复杂性与重要性毋庸置疑。BEOL是指从金属互连开始的晶圆制造阶段，主要包括金属布线、钝化层沉积及相关图形刻蚀。