NPN planar epitaxial transistor mounted in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. It features high output voltage capabilities. Fig.1 SOT223. MIN. TYP. MAX. In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134). MIN. MAX. 1. Ts is the temperature at the soldering point of the collector tab. 1.

不建议用于新设计，请使用替代产品BFU580G/BFU590G。 NPN平面外延晶体管，采用SOT223塑料封装，主要用于宽带放大器应用。 该晶体管具有高输出电压能力。 快速参考恩智浦 文档类别. 快速参考恩智浦 设计文件类型. 您需要什么帮助?

Description: NPN 4 GHz wideband transistor. Manufacturer: NXP Semiconductors.

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BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor. 1995 Sep 12 2 Philips Semiconductors Product specification. NPN 4 GHz wideband transistor BFG35. DESCRIPTION NPN planar epitaxial transistor mounted in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. It features high output voltage capabilities. PNP complement is the BFG55.

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Mar 27, 2025 · BFG35,115 NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors NPN 10V 150mA 4GHZ datasheet, inventory, & pricing.

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