珠海创飞芯科技有限公司今天宣布，其最新研发的基于90纳米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺的高可靠性汽车级SONOS（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）EFlash/MTP技术已经正式商用。 这一技术突破标志着汽车级存储解决方案在性能和成本效益方面迈出了重要一步。 珠海创飞芯科技有限公司，作为国内领先的一站式存储NVM IP供应商，近日宣布其基于55纳米高压（55HV 1.2V/6V/32V Process）工艺制程的OTP IP已在国内排名前三的晶圆代工厂实现IP上架。

创飞芯提供的OTP IP，具有IP核面积小、可靠性高、抗干扰性强、可定制开发、100% CMOS 工艺兼容、无需额外工艺条件与步骤、二次开发成本低，数据存储时长大于100 年（ 150℃的条件下）等技术优势。

2021年1月6日 · CFX’s Anti-fuse technology uses the thin gate oxide of advanced CMOS logic processes as the dielectric. As gate oxide thicknesses scale with technology geometries, the programming voltage becomes lower and allows the integration of all programming circuitry in the same OTP block.

2022年4月11日 · CFX’s Anti-fuse technology uses the thin gate oxide of advanced CMOS logic processes as the dielectric. As gate oxide thicknesses scale with technology geometries, the programming voltage becomes lower and allows the integration of all programming circuitry in the same OTP block.

站式NVM 存储IP 供应商创飞芯（CFX）今日宣布，其反熔丝一次性可编程（OTP）技术继2021 年在国内第一家代工厂实现量产后，2024 年在国内多家代工厂关于90nm BCD 工艺上也实现了量产。

Zhuhai, CHINA— January 25, 2022 — CFX, the one stop shop of embedded flash memory IP and stand alone flash memory IC provider announced today commercial availability of anti-fuse OTP technology on 55nm Logic Low Power process.

2020年4月28日 · CFX将最先进的OTP、NOR闪存和NAND SLC闪存技术以标准产品的形式推向市场。 此外，CFX 还提供防熔 OTP/NTP/eFPGA、浮动门 OTP/MTP、eNOR 和 eNOR 和 eNAND 技术作为其 IP 组合的一部分。

2022年6月23日 · “Gate oxide dielectric anti-fuse OTP technology is a game changer for designers of integrated circuits implemented on advanced technology nodes”, states George Wang, CEO of CFX. “The 90nm CIS process combines dense low voltage logic transistors with optimized high voltage transistors.

2024年4月10日 · 珠海创飞芯科技有限公司（简称“创飞芯”“CFX”），国内领先的一站式存储NVM IP供应商，近日宣布在全球排名前五的晶圆代工厂中，针对90纳米CMOS图像传感器（CIS）工艺制程上的OTP IP (一次性可编程存储IP核）已成功进入量产阶段。

2024年4月22日 · Zhuhai Chuangfeixin Technology Co., Ltd. (CFX), a leading one-stop NVM IP (Non-Volatile Memory IP) provider in China, recently announced that its OTP IP (One-Time Programmable memory IP core) for 90nm CMOS Image Sensor (CIS) process technology has successfully entered mass production at one of the top five global foundries.