2024年6月17日 · CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor, 互补金属氧化物半导体）是把NMOS和PMOS制造在同一个芯片上组成集成电路，CMOS工艺制程技术是利用互补对称电路来配置连接PMOS和NMOS从而形成逻辑电路，这个电路的静态功耗几乎接近为零，这个理论可以很好地解决功耗问题 ...

金属氧化物半导体场效电晶体 (Metal Oxide Semiconductor FET)，即通过给金属层 (M-金属铝)的栅极和隔着氧化层 (O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体 (S)导电通道开关的场效电晶体。 由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此MOSFET又称为绝缘栅型场效应管。 1962年由贝尔实验室正式宣布成功开发，成为半导体发展史上最重要的里程碑之一，为半导体记忆体的问世直接奠定了技术基础。 MOSFET依导电通道类型可分为P通 …

2016年4月20日 · BCD 工艺是在CMOS 工艺的基础上实现了bipolar 和 DMOS 器件，能够将 bandgap 之类的analog 模块和大功率模块一起集成在同一块芯片上。 工艺步骤上会比CMOS 工艺复杂一点。 BCD工艺，从左到右分别是 BJT 器件，DMOS器件，CMOS器件. 双极型工艺就是纯BJT 电路（TTL），现在主要就是实现小规模高速逻辑门的时候用。 功耗和集成度上比CMOS 差不少。 DMOS 和 CMOS 结构比较类似。 不同于CMOS 的 左右对称结构、 CMOS的 Imp/Dif 的 …

BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将 双极型晶体管 、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。

2023年8月12日 · CMOS 简单介绍就是互补 MOS， Complementary Metal Oxide Semiconductor。 剖面图可以看到将 NMOS 和 PMOS 做到同一块的衬底上，一块 P-sub 上既有 NMOS 也有 PMOS，同时为了实现好的隔离，所以将 PMOS 做到了 Nwell 中。

2024年3月16日 · 金屬氧化物半導體場效電晶體 (Metal Oxide Semiconductor FET)，即透過給金屬層 (M-金屬鋁)的閘極和隔著氧化層 (O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產生電場的效應來控制半導體 (S)導電通道開關的場效電晶體。 由於閘極與源極、閘極與汲極之間均採用SiO2絕緣層隔離，因此MOSFET又稱為絕緣柵型場效應管。 1962年由貝爾實驗室正式宣布成功開發，成為半導體發展史上最重要的里程碑之一，為半導體記憶體的問世直接奠定了技術基礎。 MOSFET依導電通道 …

DMOS，英文名称叫Double一diffused Metal Oxide Semiconductor，即 双扩散 金属氧化物半导体，是MOS管的一种，广泛用于需要高电压和高频率特性的开关应用，以及喷墨打印头、汽车控制电子、电源等应用。

2024年8月2日 · DMOS (Double-Mosfet) 和 CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 都是晶体管技术，但它们有一些关键区别： 结构和工作原理： DMOS：双极型场效应晶体管，基于PNP或NPN结构，通过改变栅极相对于源极和漏极的电压来控制电流。

DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET（vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDMOSFET（lateral double-dif fused MOSFET）。 DMOS器件是由成百上千的單一結構的DMOS 單元所組成的。 這些單元的數目是根據一個晶片所需要的驅動能力所決定的，DMOS的性能直接決定了晶片的驅動能力和晶片面積。 對於一個由多個基本單元結構組成的LDMOS器件，其中一個最主要的考察參數是導通電 …

2024年1月18日 · DMOS（Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）和CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是两种不同类型的集成电路。 DMOS主要依赖于双扩散过程，其工作原理涉及金属氧化物半导体技术。