Chemical vapor deposition - Wikipedia
Chemical vapor deposition (CVD) is a vacuum deposition method used to produce high-quality, and high-performance, solid materials. The process is often used in the semiconductor …
一文读懂气相化学沉积（CVD）-CSDN博客
2023年8月5日 · 化学气相沉积（CVD）被定义为由于气相化学反应而在基体表面上沉积固体薄膜，是一种薄膜工艺，其中沉积物质通常是原子、分子或两者的组合。
化學氣相沉積 - 維基百科，自由的百科全書
化學氣相沉積 （英語： chemical vapor deposition，簡稱 CVD）是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的 化學 技術。 半導體產業 使用此技術來成長 薄膜。 典型的CVD製程是將 晶圓 …
2001年2月2日 · Thermal Oxidation of Silicon Formation of the oxide of silicon on the silicon surface is known as oxidation . Thermal Oxidation is characterized by high temperatures (900 …
12种化学气相沉积（CVD）你都知道吗？-电子工程专辑
2023年12月23日 · CVD (化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。 从理论上来说，它是很简单的: …
MEMS制造的基本工艺 ——CVD与旋涂的沉积工艺 - 知乎
化学气相沉积工艺分为大气压CVD（称为APCVD，Atmospheric-pressure CVD）、低压CVD（LPCVD，Low-pressure CVD）或 等离子体增强CVD （PECVD，Plasma-enhanced …
Chemical Vapor Deposition (CVD) 化学气相沉积 - 知乎
CVD中的化学反应: pyrolysis (热分解), photolysis (光分解), reduction (还原反应, 和H 反应), oxidation (氧化反应), redox (氧化还原，和负离子反应，从负氧离子获得电子)。
化学气相沉积（CVD）中的TEOS - 知乎
TEOS是一种常见的 化学气相沉积 过程中的硅源，一般用来生成SiO2薄膜，这种薄膜可以作为介质层、隔离层、保护层等。 TEOS通过 LPCVD 或 PECVD 过程生成 二氧化硅 的机理： …
Chemical Vapor Deposition - Silicon Valley Microelectronics - SVMI
Chemical vapor deposition (CVD) oxide is a linear growth process where a precursor gas deposits a thin film onto a wafer in a reactor. The growth process is low temperature and has a much …
辛耘知識分享家:化學氣相沉積設備運作原理、優缺點與應用一次了 …
2023年8月5日 · 化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種常見的薄膜成長技術，通常用於固體表面上製造具有特定性質和厚度的薄膜。 使用化學氣相沉積設備的過程涉 …