比如我随便搭了一个NMOS连接成电容的结构： 一个NMOS电容的各种寄生电容参数值. 我们先来重点研究一下Gate的电容。已知Cgg=Cgs+Cgd+Cgb，试试仿真得到的参数先：Cgs=-11.6332fF, Cgd=-12.1733fF, Cgb=-234.661aF, Cgg=-11.6332-12.1733-0.23466=-24.01161fF。

MOS中的 C-V characteristic(以NMOS为例) 对于 C_{GS} 和 C_{GD},主要由电压决定：

MOS管 的 Cgs / Cgd / Cgg 电容主要由 Vgs 和 Vds 控制。 其中，Vgs控制着晶体管的打开和关断，影响沟道电荷密度，进而影响电容值。 Vds主要影响source和drain的电荷分配。

2024年6月6日 · 用同样的方法， 在calculator中输入表达式OP(“/NM0”,“cgg”)，并将其添加到ADE L界面，便于后续对比。 点击Plot，即可得到MOS电容的C-V曲线，与理论分析相符，且两条输出曲线重合。

金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极电容分成三个区域来考虑:亚阈值区、线性区和饱和区。 在亚阈值区,反型层电荷可以忽略不计,当栅极电势变化时,只有耗尽电荷需要考虑。 因此,源极与漏极之间的本征电容可近似为零,栅极与体硅之间的电容C. d为单位面积的耗尽电容。 对于高的漏极偏置电压,表面电势与沟道靠近漏极一侧的耗尽层宽度增大。 d的平均值略低于沟道靠近源极一侧单位面积上的电容值。...

2022年6月17日 · 在电路设计零极点计算中，我们经常需要对MOS管的栅电容进行理论估算，栅电容Cgg=CoxWL，W和L我们可以直接从器件参数得到，接下来我们需要知道MOS管的Cox具体值。

2021年4月19日 · 在长沟道nMOS管中，对扩散电容对其影响很小，在不考虑覆盖电容时，MOS管的栅电容的近似情况为： 图中. 覆盖电容Cgol. 覆盖电容Cgol又分为Cgsol(栅与源覆盖部分)和Cgdol(栅与漏覆盖部分)。 在短沟道晶体管中，覆盖电容对其影响就较大了。

2022年10月17日 · 所以Cgs会为负数，因为例如源端电压增加dVs>0，即源端有正电荷积累，那么在栅端感应出来的电荷就为负的，即dQg<0，所以Cgs=dQg/dVs<0，所以只有Cgg,Css,Cdd等为正数，其它的都为负数，于是我们只要看它们的绝对值就好了。

2023年4月21日 · MOS管的Cgs/Cgd/Cgg电容主要由Vgs和Vds控制。其中，Vgs控制着晶体管的打开和关断，影响沟道电荷密度，进而影响电容值。Vds主要影响source和drain的电 ... ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

2008年6月26日 · 在cadence里specter仿真的时候，print dc operating point 的时候，可以看到mos管的很多参数，最近有一个问题就是关于mos的寄生电容：Cgd,Cdg有什么区别和联系。 类似的还有Cgs,Csg等等. Cxy和Cyx是cadence的算法问题,在Hspice里就没有,其实取Cxy就可以了,因为这两个的数值一般不会差太多,比如TSMC的工艺库,不过个别工艺库除外 (原因不明,模型不好,或者工艺不行??),最好在Hspice里也仿真一下,就更保险了. 在BSIM3、4模型中，MOS中的电容是 …