2024年5月21日 · 目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上： 一种是 4F 2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacked-Cell Array Transistor，垂直堆叠单元阵列晶体管） DRAM。

2024年12月8日 · 在2020年的IEDM上，A. Belmonte et al发表了一篇题为《Capacitor-less, Long-Retention (>400s) DRAM Cell Paving the Way towards Low-Power and High-Density Monolithic 3D DRAM》，这篇文章首次在12寸晶圆上验证了IGZO DRAM的可行性，其要点如下：

2025年3月24日 · A new DRAM bit cell without a capacitor and with two thin-film transistors — each with an oxide semiconductor channel such as indium-gallium-zinc-oxide — shows promises for continuing the DRAM...

In this work, a novel 4F VCT (vertical channel transistor) targeting for next generation of DRAM is proposed. We approached process feasibility and device performance of 4F2 VCT by TCAD simulation. Detailed processes such as BL (bit line) and WL (word line) loop have also been discussed to achieve lx node VCT DRAM.

2024年8月12日 · 近日，清华大学集成电路学院在2024 ACM/IEEE第51届年度计算机体系结构国际研讨会 (ISCA)上发表了国际首款面向视觉AI大模型的三维DRAM存算一体架构，可大幅突破存储墙瓶颈，并基于三维集成架构特点，实现相似性感知计算，进一步提高AI大模型的计算效率。 存算一体作为新一代计算技术，在数据运算和存储过程中实现了一体化设计，被认为是后摩尔时代最重要的发展方向之一，将为人工智能的大规模应用提供不竭的算力支撑。 在更早之前，中科院和 …

2022年6月2日 · 华为与中科院微电子研究所合作开发的采用垂直环形沟道器件结构（CAA，Channel-All-Around）晶体管（IGZO-FET）3D DRAM技术，也是基于IGZO的2T0C DRAM…… 日前据韩媒 BusinessKorea 报道，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）表示，今年中国的 DRAM 制造商长鑫存储正在推动第二代 10nm 级（1γ 或 16 nm至 17 nm）DRAM 的大规模生产。 另一方面，三星电子和 SK 海力士正计划在今年年底或明年大规模生产第五代 10nm …

2019年8月15日 · Synchronous Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器，是一种DRAM存储器，但是与DRAM的最大区别在于“同步（synchronous）”，SDRAM通过与系统的时钟信号同步，以提高其运行效率和数据传输速率。

2024年5月21日 · 目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上： 一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacked-Cell Array Transistor，垂直堆叠单元阵列晶体管） DRAM。 前者主要是在 DRAM 单元结构上向 z 方向发展，后者则是类似 3D NAND 一样堆叠多层 DRAM。 图源 Semiconductor Engineering. 市面现有的 DRAM 内存采用 6F2 结构，换用 4F2 结构可缩减约 30% 面积，提高存储密度，不 …

2024年5月21日 · 目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上： 一种是 4F2VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacked-Cell Array Transistor，垂直堆叠单元阵列晶体管） DRAM。 前者主要是在 DRAM 单元结构上向 z 方向发展，后者则是类似 3D NAND 一样堆叠多层 DRAM。 图源 Semiconductor Engineering. 市面现有的 DRAM 内存采用 6F2 结构，换用 4F2结构可缩减约 30% 面积，提高存储密度，不 …

2024年5月25日 · 为此，三星致力于开发4F Square VCT DRAM，这是一种基于垂直通道晶体管（VCT）技术的紧凑型DRAM设计。 4F Square VCT DRAM通过垂直堆叠技术，将DRAM单元尺寸比现有的6F Square DRAM减少约30%，在提高能效的同时大幅降低了单元面积。