2020年8月25日 · CoWoS-L is the new variant of TSMC’s chip-last packaging technology which adds in the Local Si Interconnect which is used in combination of a copper RDL to achieve higher bandwidth than just an...

LSI chips for a high routing density die-to-die interconnect through multiple layers of sub-micron copper lines. LSI chips can feature of a variety of connection architectures, e.g., System on Chip (SoC)-to-SoC, SoC-to-chiplet, SoC-to-High Bandwidth Memory, within each product, and can be used repeatedly in multiple products.

2024年10月28日 · 片上基板（CoWoS：Chip-on-wafer-on-substrate）是一種先進的封裝技術，用於製造高性能計算（HPC）和人工智慧（AI）元件。 作為一種高端系統級封裝（SiP）解決方案，與傳統的多晶片模組（MCM）相比，它能在緊湊的平面圖內以並排方式實現多晶片整合。 要在封裝中容納更多的有源電路和電晶體，以提高 SIP系統的性能，擴大interposer 面積是關鍵因素之一。 通過四掩模拼接技術，基於 Si interposer 的 CoWoS-S 已開發出 2500 平方毫米 …

2025年1月21日 · CoWoS-L® 是 CoWoS®（Chip on Wafer on Substrate）平台上的 Chip-Last 封装之一。 它结合了 CoWoS-S® 和 InFO（集成扇出）技术的优点，使用中介层和本地硅互连（LSI）芯片进行晶粒间互连，并使用 RDL 层进行电源和信号传输，从而提供最灵活的集成。 Key CoWoS®-L features include: CoWoS-L® 的主要功能包括： LSI chips for a high routing density die-to-die interconnect through multiple layers of sub-micron copper lines.

2024年5月23日 · 通过连接所有LSI芯片的电容，CoWoS-L搭载多个LSI芯片，可以显著增加RI上的总eDTC电容。 从产业链角度，OSAT厂商有望在CoWoS-L结构中承担更重要的角色。

2024年10月27日 · 片上基板（CoWoS：Chip-on-wafer-on-substrate）是一种先进的封装技术，用于制造高性能计算（HPC）和人工智能（AI）组件。 作为一种高端系统级封装（SiP）解决方案，与传统的多芯片模块（MCM）相比，它能在紧凑的平面图内以并排方式实现多芯片集成。 要在封装中容纳更多的有源电路和晶体管，以提高 SIP系统的性能，扩大interposer 面积是关键因素之一。 通过四掩模拼接技术，基于 Si interposer 的 CoWoS-S 已开发出 2500 平方毫米 …

2024年8月8日 · CoWoS-L is TSMC’s latest technology, incorporating active components (LSI) in the silicon interposer, enhancing chip design and packaging flexibility. It can stack up to 12 HBM3s at a lower cost than CoWoS-S and is expected to be introduced in 2024, potentially becoming the mainstream CoWoS technology for future AI chips.

CoWoS-R：使用柔韌的 RDL 中介層，適合高帶寬記憶體和多功能整合。 CoWoS-L：結合了 CoWoS-S 和 InFO 技術的優點，使用 LSI 晶片中介層，適合多種晶片連接和高頻信號傳輸。

2024年10月9日 · CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是台积电的一种 2.5D 先进封装技术，由 CoW 和 oS 组合而来：先将芯片通过 Chip on Wafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把 CoW 芯片与基板（Substrate）连接，整合成 CoWoS。

2024年10月30日 · 在前半部分中，本文介绍了CoWoS 系列中的一种新架构CoWoS-L，以解决大型interposer缺陷导致的良率损失问题。 CoWoS-L 的interposer 层包括多个本地硅互连 (LSI) 芯片和全域再分布层 (RDL)，形成一个重组interposer 层 (RI)，以取代CoWoS-S 中的单片硅interposer 层。