2024年5月15日 · Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) is a two-point-five dimensional integrated circuit (2.5D IC) through-silicon via (TSV) interposer-based packaging technology designed by TSMC for high-performance applications.

2025年1月21日 · CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）是一种先进的半导体封装技术，它通过在硅中介板上堆叠和连接多个芯片，实现了小型化、低功耗和高密度IO的封装。CoWoS技术包括三个层次：芯片、硅中介板和基板，其中硅中介板的...

The CoWoS ® -S (Chip on Wafer on Substrate with silicon interposer) platform provides best-in-class package technology for ultra-high performance computing applications, such as artificial intelligence (AI) and super-computing.

2024年5月23日 · 通过四掩模光刻拼接技术，台积电CoWoS-S目前将硅中介层面积扩展到相当于三个完整掩模尺寸，最多已能够实现3个SoC/芯片和8个HBM共封。 CoWoS-S中介层进一步扩大、多芯片翘曲等带来升级过程诸多挑战。 尽管持续增加硅中介层尺寸仍是下一代CoWoS扩展到4x掩膜版尺寸（约3300平方毫米）的一个选项，但生产和可靠性方面的挑战开始凸显。 超过四掩模拼接的光刻过程复杂性带来了中介层制造的大量生产效率损失。 不同掩模之间的场边界拼接误差 …

2025年3月14日 · 台积电推出的 CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技术，通过将逻辑芯片、高带宽内存（HBM）、硅中介层等异构元件三维堆叠集成，成为 AI 芯片的「终极封装方案」。 其核心优势在于： 1、超高密度互联： 利用硅中介层实现微米级 TSV（硅通孔）互连，布线密度较传统 2D. 封装提升 10 倍以上，突破数据传输瓶颈； 2、极致能效比： HBM 与 GPU/ASIC 芯片的「近存计算」架构，将数据传输功耗降低 50%，显著提升能效比； 3、卓越异构集成能力： 突 …

CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是一种2.5D的整合生产技术，先将芯片通过Chip on Wafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板（Substrate）连接，整合成CoWoS。 CoWoS process Flow如下：

2025年3月14日 · 台积电推出的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技术，通过将逻辑芯片、高带宽内存（HBM）、硅中介层等异构元件三维堆叠集成，成为AI芯片的“终极封装方案”。 其核心优势在于： 3、卓越异构集成能力： 突破传统封装限制，支持多芯片、多工艺节点（如7nm逻辑芯片+40nm硅中介层）混合封装，为芯片设计提供更大自由度。 在CoWoS封装流程中，热压键合（Thermal Compression Bonding, TCB）是决定良率与性能的核心环节。 其作用包括： 3、多 …

在CoWoS封装流程中，热压键合（Thermal Compression Bonding, TCB）是决定良率与性能的核心环节。 其作用包括： 1、精准连接：以微米级精度将芯片与中介层或基板对准，通过热压实现铜柱凸点（Cu Pillar）的共晶键合；

2023年8月2日 · 廣泛使用的整合技術之一是cowos，這是一種2.5d ic整合技術，通過將邏輯運算和hbm晶片安裝在矽中介層上，然後直接放置在封裝基板上來整合邏輯運算和hbm晶片。

2025年3月14日 · 在CoWoS封装工艺中，TCB设备的表现至关重要。热压键合（TCB）作为关键步骤，要求在微米级精度下实现芯片的精确贴合。因此，普莱信智能的Loong系列TCB设备采用了自研的“超精密高温纳米运动平台”以及“多光谱视觉定位系统”，能够在高温条件下维持±1μm的贴 ...