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Coss（输出电容）： 指的是在MOSFET关断状态下，从漏极到源极之间观察到的总电容，通常由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd组成，即Coss = Cds + Cgd。 Coss的存在使得即使栅极已经停止供电，由于Coss的放电过程，漏极电压仍需一段时间才能完全下降至零，从而影响了关断 ...

通常，MOSFET的芯片尺寸（表面积）越小，总电荷量就越小，但是导通电阻会变大，因此开关损耗与工作时的损耗之间存在一个平衡关系。 2、电容 (Ciss，Coss， Crss) Ciss，Coss，和Crss,跟栅极电荷一样影响着开关性能。

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2024年4月14日 · MOSFET的三个主要寄生电容参数是输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）。 这些参数决定了器件在开关过程中的速度和效率。 Ciss： 是栅极到源极（Cgs）和栅极到漏极（Cgd）电容的总和。 它影响MOSFET的开启速度，因为在开关过程中需要为这些电容充电。 Coss： 是漏极到源极（Cds）和栅极到漏极（Cgd）电容的总和。 它影响MOSFET的关闭速度，因为在关闭过程中需要为这些电容放电。 Crss： 是栅极到漏 …

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Coss越大或在DS极额外的并联更大的电容，关断时MOSFET越接近理想的ZVS，关断功率损耗越小，那么更多能量通过Coss转移到开通损耗中。 为了使MOSFET整个开关周期都工作于ZVS，必须利用外部的条件和电路特性，实现其在开通过程的ZVS。 如同步BUCK电路下侧续流管，由于其寄生的二极管或并联的肖特基二极管先导通，然后续流的同步MOSFET才导通，因此同步MOSFET是0电压导通ZVS，而其关断是自然的0电压关断ZVS，因此同步MOSFET在整个开 …

交叉摇滚步（Cross Roll）——交叉换足不变刃，向前滑时前交叉，向后滑时后交叉，形成相反的弧线，身体左右摇摆。

时刻相关输出电容Coss (tr)是指偏置电压从0上升至80%的BV DSS 时，在充电时刻相同的条件下，折算成一个等效的固定电容值，其意义和80%×BV DSS 的Coss静态电容具有不同的值、不同的意义。