零基础学习功率半导体（17）---电容(Ciss, Coss, Crss ) - 知乎
Crss对MOSFET的工作非常重要，特别是在高速切换条件下，它可以引起正反馈效应，导致不必要的振荡或者延迟关闭过程。 此外，Crss还会放大Vds的变化，这种现象被称为 米勒效应 ，会 …
读懂MOSFET动态参数-Qg,Ciss,Coss,Crss,Rg,开关时间 - 知乎
Ciss，Coss，和Crss,跟栅极电荷一样影响着开关性能。 MOSFET作动的过程，就是栅极电压对源极、漏极电容充放电的过程。 Cgs：栅极和源极之间的等效电容。
The derivation of CRSS in pure Ti and Ti-Al alloys
2025年1月1日 · The comprehensive understanding of distinctive CRSS in Ti alloys is elaborated for active slip systems, short-range order (SRO), temperature, and tension-compression (T-C) …
Mos结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss - CSDN博客
2022年11月24日 · 逆导电容 ( Reverse Transfer Capacitance)：Crss＝Cgd. 之所以引入分布电容的概念，是因为结电容是由晶体管的材料和结构决定的，不能全面反映对晶体管电路的实际影 …
理解功率MOSFET的开关损耗-测试测量-电子元件技术网
2009年10月26日 · 本文先分别介绍了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相对应的Qg，Qds和Qgs在开关过程中对开关损耗的影响。 基于在理想状态下，用工程简化方式计算出MOSFET …
Ciss和Coss和Crss,电容特性Ciss,Coss,Crss-KIA MOS管 - 广东可易 ...
2024年9月3日 · 反向传输电容Crss = Cgd. 这三个电容几乎不受温度变化的影响，因此，驱动电压、开关频率会比较明显地影响MOS管的开关特性，而温度的影响却比较小。 电容特性 (Ciss , …
CRSS -the minimum shear stress required to begin plastic deformation or slip. Temperature, strain rate, and material dependent The system on which slip occurs has the largest Schmid …
了解材料科学中的临界解析剪应力 - Formulas Today
总之，临界分 resolved 切应力（Critical Resolved Shear Stress）是材料科学中的一个关键概念，它提供了对材料在施加应力时反应的洞察。 通过理解和计算 CRSS，工程师和科学家可以 …
Calibrated CRSS values of prismatic and basal slip systems as a ...
Download scientific diagram | Calibrated CRSS values of prismatic and basal slip systems as a function of temperature: (a) fitted with power law functions; (b) fitted with quadratic functions ...
About CRSS
About CRSS. CRSS conducts research in a wide range of storage-related fields, including archival storage, scalable distributed indexing and non-hierarchical file systems, large-scale …
- 某些结果已被删除