Vertical Channel Transistor (VCT) as Access Transistor for Future 4F2 ...
In this work, a novel 4F VCT (vertical channel transistor) targeting for next generation of DRAM is proposed. We approached process feasibility and device performance of 4F2 VCT by TCAD …
长鑫存储储发布GAA技术相关论文 - 电子工程专辑 EE ...
2023年12月15日 · 长鑫存储（ CXMT），在日前于旧金山举行的第69届IEEE国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术 。 …
Abstract— In this paper, we have successfully fabricated the junction-less GAA VCT combined with a hexagonal capacitor to realize a compact 4F2 DRAM architecture. It shows the …
存储器最新发展路线图 - 知乎 - 知乎专栏
Intel OptaneTM P5800X SSD 产品采用第二代 XPoint 内存技术，具有四栈 PCM/OTS 单元结构。 Everspin 第 3 代独立 256 Mb STT-MRAM (pMTJ) 和 1Gb STT-MRAM，三星和索尼的新 28nm …
High-Performance Gate-all-around Junctionless Vertical-Channel ...
PDF | On Dec 8, 2023, Abraham Yoo and others published High-Performance Gate-all-around Junctionless Vertical-Channel Transistors with the Ultra-low Sub-threshold Swing for Next …
长鑫存储 - 电子工程专辑
2025年2月12日 · 存储器DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT），在旧金山举行的第69 届IEEE 国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All …
DRAM 芯片制造商长鑫存储GAA技术进展引发业界关注 - las
2023年12月19日 · DRAM的发展方向 对于 DRAM，主要目标是继续将 1T-1C 单元的封装尺寸扩大到 4F2 的实际极限。 挑战在于垂直晶体管结构、高 κ 电介质以提高电容密度，同时保持低泄 …
Highly scalable 4F2 cell transistor for future DRAM technology
A novel 4F2 dynamic random access memory (DRAM) cell transistor structure was proposed that can solve various process problems and special failure modes that ca
Highly Manufacturable, Cost-Effective, and Monolithically Stackable 4F2 …
For the first time, we demonstrated experimentally 4F single-gated IGZO-VCT, monolithically stacked on top of core/peripheral transistors without wafer bonding process for sub-10nm …
长鑫存储发布GAA技术相关论文 - 电子工程专辑 EE Times China
2023年12月16日 · 12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结 …
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