DDR4模组是第四代高速内存模组，相较于DDR3 模组，性能和带宽显著提升，最高速率可达3200Mbps。 DDR4模组是目前内存模组市场的主流产品，可服务于电脑、服务器等产品。

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CXMT (长鑫) CXDQ3A8AM-IJ-A参数名称：存储器构架 (格式)：SDRAM DDR4；存储容量：8Gbit；工作电压：1.14V~1.26V；工作电流：107.7mA；工作温度：-40℃~+95℃。 下载CXDQ3A8AM-IJ-A中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有DDR SDRAM详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

The DDR4 is a fourth-generation double data rate synchronous dynamic random access memory. Compared to DDR3, it provides faster data transfer rates, more stable performance, and lower power consumption.

ChangXin Memory Technologies (CXMT, Chinese: 长鑫存储) [a] is a Chinese semiconductor integrated device manufacturer headquartered in Hefei, Anhui, specializing in the production of DRAM memory. As of 2020, ChangXin manufactured LPDDR4 and DDR4 memory on a 19 nm process, with a capacity of 40,000 wafers per month. [1]

ddr4 内存芯片 多领域应用 , 助力行业开辟更多可能 第四代双倍速率同步动态随机存储器

2020年2月25日 · DDR4内存条也是长鑫自主开发设计，搭载原厂颗粒，种类齐全，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM 笔记本 型，容量均为单条8GB，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃。 LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求，兼备高速度与低功耗，可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验，规格方面单颗容量2GB、4GB，频率3733MHz，电压1.8V、1.1V、0.6V，工作温度-30℃至85℃，200ball FBGA封装。 目前，长鑫已开始接受上述产品的技术和 …

CXMT started the production of DDR4 dies using 19nm lithography, aka 10G1 technology. The fourth-generation double data rate (DDR) DRAM has fast data transfer that matches the high speed produced by top DRAM competitors. Their characteristics of low power consumption and stable performance meet the mainstreammarkets’ needs.

2024年8月22日 · 采用镁光原厂颗粒，DDR4类型，频率3200MHz，工作电压1.2V，配备铝制散热马甲，高效散热。兼容Intel及AMD...阅读全文

2020年12月8日 · This is the first DDR4 DRAM product fabbed by CXMT and the first 8 Gb DRAM die from China. A 2x technology node (D/R=22nm) is used (likely in between Samsung’s 2x and 2y) with a cell size of 0.0045 µm2 and a bit density of 0.102 Gb/mm2.